Agilent 串聯四極桿 ICP-MS 8900
Agilent 8900 串聯四極桿 ICP-MS (ICP-MS/MS) 是行業(yè)中成功且應用廣泛的串聯電感耦合等離子體質譜儀。Agilent 8900 ICP-MS/MS 提供了一系列配置，適合從常規(guī)商業(yè)分析到高級研究和高純度材料分析的應用，其重新定義了 ICP-MS 性能，可提供可靠的分析結果。
8900 系統(tǒng)具有與安捷倫市場的單四極桿 ICP-MS 系統(tǒng)相同的基質耐受性和穩(wěn)定性，并與超高效的氦 (He) 碰撞模式相結合。但 8900 系統(tǒng)增加了串聯質譜操作 (ICP-MS/MS)，可對碰撞反應池 (CRC) 中的反應化學過程進行精確的控制，使其成為強大、靈活的多元素分析儀。利用 8900 ICP-MS/MS 控制干擾，讓您的結果可靠無疑。
特性
- MS/MS 控制反應化學過程，可確保提供一致、可靠的結果，即使對于此前難以分析的元素（如 Si、P 和 S）也是如此
- 反應化學過程可解決同量異位素重疊問題，這超出了高分辨率 ICP-MS 的能力
- 四通道反應池氣體控制可提供快速、靈活的多模式操作
- 一套預設方法簡化了常規(guī)分析的方法設置
- 氦氣模式可簡單、有效地控制常見的多原子干擾
- 穩(wěn)定的（低 CeO/Ce）等離子體，可提供出色的基質耐受性
- 超高基質進樣 (UHMI) 技術可耐受總溶解固體量 (TDS) 高達 25% 的樣品
- 高靈敏度和低背景為超痕量分析物提供了超低的檢測限
- 通用性和高性能相結合，支持高級研究和要求苛刻的應用
- 靈活的操作模式（母離子/產物離子掃描）支持對反應化學模式進行研究
精準無憂，掃清一切檢測干擾
第二代 Agilent 8900 ICP-MS/MS 助您更輕松地 實現可靠的干擾去除。
2012 年，安捷倫推出了 Agilent 8800，該系統(tǒng)是世界上具有 MS/MS 功能的串聯四極桿 ICP-MS (ICP-MS/MS)。 這款開創(chuàng)性儀器為世界各地的成百上千個實驗室開辟了新 的分析前景。
第二代 Agilent 8900 ICP-MS/MS 適用于從常規(guī)的商業(yè)檢測 到研究和材料分析的各種情形。8900 ICP-MS/MS 具有的安捷倫四極桿 ICP-MS 系統(tǒng)的氦氣模式性能和分析效 率。此外，該系統(tǒng)具有 MS/MS 模式，能夠在反應模式下 實現一致且受控的干擾去除。此功能使其成為強大且靈活 的多元素分析儀
MS/MS 在反應氣方法中的優(yōu)勢
成熟的 ICP-MS/MS 技術
安捷倫的串聯四極桿 ICP-MS 采用 MS/MS 技術，使成百上千實驗室具備了的 分析能力。
ICP-MS/MS 讓您信心十足
Agilent 8900 ICP-MS/MS 為現有多元素 ICP-MS 應用提供了出色的性能。8900 還引入了以前 ICP-MS 無法實現的分析功能。先前難以分析的低濃度元素的測定、同質異位素直接重疊的分離以及新興 納米材料的快速痕量分析將 ICP-MS 的應用擴展到全新的分析領域。
Si 和 S 的超痕量分析
Si 和 S 會受到多原子干擾的嚴重影響，之前使用單四極桿 ICP-MS 可能無法對 ng/L (ppt) 級 Si 和 S 進行測量。 ICP-MS/MS 使用 MS/MS 和反應池氣體提供了可靠的干擾 消除方法。8900 ICP-MS/MS 高級應用配置和半導體配置 采用的新型氣體流量系統(tǒng)可大大減小 Si 和 S 污染，從而實 現了對硅和硫出色的背景控制。
下列校準曲線表明使用 8900 ICP-MS/MS 在 MS/MS 模式下 以 O2 作為池氣體獲得的小于 10 ng/L 的 Si（上圖）和 S（下 圖）檢測限 (DLs)。
分離同質異位素重疊
ICP-MS/MS 在 1 amu 的標稱分辨率下運行時如何提供優(yōu) 于高分辨率 (HR) 扇形磁場 ICP-MS 的分辨能力？答案是利 用 MS/MS 模式實現化學反應過程的選擇性。通過選擇與一 種元素反應而不與另一種元素反應的池氣體，ICP-MS/MS 可使用 MS/MS 模式直接分離重疊的同質異位素。同質 異位素是質量數相同的不同元素的同位素，例如 204Hg 和 204Pb。分離此類同質異位素所需要的質量分辨率 (M/DM) 遠超出商品化 HR-ICP-MS 的性能。
在地球化學、地質年代學和核科學領域中有很多應用方法 由于同質異位素的重疊會導致難以實現準確分析。例如地 質年代學中 176Hf/177Hf 比的準確測定、使用 Pb/Pb 和 Pb/U 的地質定齡以及 Rb-Sr 比分析。在核科學中，93Zr、151Sm 和 129I 等放射性同位素經常與其他元素的天然同位素發(fā) 生重疊。使用 ICP-MS/MS 和反應池氣體可以分離同質異 位素。
以下譜圖顯示了使用 Agilent 8900 ICP-MS/MS 測得的以 Hf(NH2)(NH3)4 + 產物離子形式存在的 Hf。MS/MS 能夠在 Lu、Yb 及可能在 m/z 176 處發(fā)生重疊的其他基質元素存在 時準確測量 176/177Hf 同位素比。
使用 MS/MS 模式準確分析硫和硫同位素比
使用 O2 作為反應氣，可將 S 作為其產物離子 SO+ 在 m/z 48 （針對 32S 主同位素）、49 和 50 處進行測量。測量多種同 位素時，可使用同位素稀釋法 (ID) 進行 S 同位素比分析和 準確的定量分析。具備 MS/MS 功能的 8900 ICP-MS/MS 對此應用非常重要，因為不用 MS/MS 進行測量時，碳、 鈣和鈦會對產物離子 SO+ 產生干擾，如下圖所示。
使用單顆粒/細胞 ICP-MS (sp/scICP-MS) 表征納米
顆粒 (NP) 8900 ICP-MS/MS 可提供的靈敏度和最短駐留時間為 0.1 ms 的快速時間分辨分析 (TRA)。高靈敏度、高速與高 效干擾去除相結合，將現有納米顆粒分析范圍擴展至包括 含有 Si、S、Fe 和 Ti 等元素的顆粒。這些納米顆粒用單四 極桿 ICP-MS 難以測量。
MS/MS 功能助您掃清一切干擾
超高基質進樣系統(tǒng) (UHMI)
UHMI 將基質耐受性提高到 25% 的總溶解 態(tài)固體 (TDS)。UHMI 是 8900 標準和高級 應用配置的標配，確?？沙Ｒ?guī)測量高基質 樣品并消除基質抑制效應。
樣品引入
低流量帕爾貼半導體制冷進樣系統(tǒng)提供了 高穩(wěn)定性和一致性。可選的集成樣品引入 系統(tǒng) (ISIS 3) 增配了活塞泵和緊密連接的 7 通 閥，可實現高速離散進樣。
氣體控制
用于等離子體氣體的四通道氬氣質量流量控制。高級應用配置和 半導體配置包括第 5 路（可選）氣體控制器和低 Si/S 氬氣流路。
27 MHz 等離子體 RF 發(fā)生器
高速頻率匹配 RF 發(fā)生器提供超高的功率傳輸效率，可耐受包括 揮發(fā)性有機溶劑在內不斷變化的樣品基質。
等離子體與屏蔽炬系統(tǒng) (STS)
提供的高能量可實現有效的基質解離，精密離子能量控制還可在 氦氣模式下實現有效的干擾去除。常規(guī)維護后還可自動校準炬管。
接口錐
Ni 或 Pt 錐提供了出色的基質耐受性和高靈敏度。螺紋設計便于 在常規(guī)維護過程中拆卸。
離子透鏡
雙提取透鏡和離軸 Omega 透鏡在單個優(yōu)化的接口中 提供了高離子傳輸效率和基質耐受性。離子透鏡位 于高真空區(qū)域以外，易于進行常規(guī)維護。
個四極桿質量過濾器 (Q1)
高頻雙曲面四極桿質量過濾器。在 MS/MS 中，Q1 在 0.7 u 分辨率 下運行，將剔除目標分析物質量數以外的所有離子，從而控制反 應池中的化學反應過程。
第四代八極桿反應池系統(tǒng) (ORS4 )
帶有 4 通道氣體流量控制器的溫控型碰 撞/反應池可靈活應用于池氣體方法中。 既可在氦氣 (He) 模式下運行，也可利用 MS/MS 功能在反應模式下實現有效而一 致的干擾控制。軸向加速（高級應用配置 和半導體配置）提高了靈敏度，并可控制 高階產物離子的形成。
電子倍增檢測器
雙模式離散打拿級電子倍增器可提供高達 11 個數量級的動態(tài)范 圍。超短的 (0.1 ms) 最小駐留時間支持瞬時信號的快速分析（ Cap-LC、GC、單納米顆粒和激光剝蝕）。
第二個四極桿質量過濾器 (Q2)
第二個高頻雙曲面四極桿質量過濾器通常也在 0.7 u 的分辨率下 運行。Q2 選擇出現在池出口處的離子，只讓目標分析離子/產物 離子通過至檢測器。
真空系統(tǒng)
高性能 4 級泵系統(tǒng)，包括一個叉分式渦輪泵、另一個渦輪泵和一個 外置機械泵。增強的真空性能使 8900 ICP-MS/MS 具有超高的靈敏 度以及低背景，同時確保 Q1 實現 MS/MS 所需的 < 1 u 分辨率。
