1、一次解析加熱范圍：40℃—400℃，控溫精度1℃
2、進樣閥加熱范圍：40℃—240℃，控溫精度1℃
3、樣品傳輸管加熱范圍：40℃—240℃，控溫精度1℃
4、冷阱制冷范圍：-35℃— -5℃
5、二次解析溫度范圍：-35℃—450℃
6、二次解析升溫速率：＞70℃/s
7、樣品管規(guī)格：直徑1/4”，長度3.5”
8、樣品位： 24位
9、富集時間：0-60min
10、進樣時間：0-10min
11、模擬采樣時間：0-60min
12、模擬采樣流速：0-200ml/min
13、RSD：≤2.5%（0.05μg甲醇中苯）
14、功率：峰值500W
1、采用半導體制冷，節(jié)約使用成本。
2、二次解析升溫速率＞70℃/s，升至450℃，峰寬＜3s。
3、氣路管全部使用經過鈍化拋光處理的316不銹鋼氣路管，密封圈全部采用PTFE材質，耐高溫、無揮發(fā)。
4、加熱氣路管使用進口高惰性脫活不銹鋼氣路，密封使用PTFE材料，耐高溫，無揮發(fā)。
5、加熱閥箱中使用精密耐高溫進樣閥，無死體積。進樣閥采用電機驅動，無需外接驅動氣體，使用方便。
6、加熱閥箱和加熱氣路一體化設計，減少了中間環(huán)節(jié)，的降低了因死體積造成的解析率低的問題。
7、通過對解析管和氣路的通徑進行計算，設計了的變徑接頭，使解析管和氣路連接點的死體積減小到。
8、具有標準樣品模擬采樣功能。
