Hiden TOF-qSIMS 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜工作站設(shè)計(jì)用于多種材料的表面分析和深度剖析應(yīng)用,包括聚合物,藥物,超導(dǎo)體,半導(dǎo)體,合金,光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì),檢測(cè)限低于1ppm。
TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜。
四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析,低入射能力,高入射電流,濺射和分析連續(xù)進(jìn)行,是典型的Dynamic SIMS 動(dòng)態(tài)SIMS。
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時(shí)間質(zhì)譜,質(zhì)量數(shù)范圍寬,質(zhì)量分辨率高,且測(cè)量速度快(瞬間得到全譜)。離子槍僅需要一次脈沖濺射,即可得到全譜,對(duì)表面幾乎無破壞作用。因脈沖模式分析,且電流小,所以產(chǎn)生的二次離子比率相對(duì)少,靈敏度相比動(dòng)態(tài)SIMS弱,但成像和表面分析能力強(qiáng),是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS。
TOF-qSIMS workstation 綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點(diǎn),可以分析所有的導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣材料;對(duì)硅、高k、硅鍺以及III-V族化合物等復(fù)合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測(cè)量等一系列擴(kuò)展功能。對(duì)于材料/產(chǎn)品表面成分及分布,表面添加組分、雜質(zhì)組分、表面多層結(jié)構(gòu)/鍍膜成分、表面異物殘留(污染物、顆粒物、腐蝕物等)、表面痕量摻雜、表面改性、表面缺陷(劃痕、凸起)等有很好的表征能力。
一臺(tái)SIMS同時(shí)提供四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜
靜態(tài)SIMS Static SIMS
動(dòng)態(tài)SIMS Dynamic SIMS
Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍
樣品 3D成像分析
檢測(cè)限低于ppm
SNMS 離子源,二次中性粒子譜
二次離子質(zhì)譜成像軟件,靜態(tài)二次離子質(zhì)譜圖庫,二次離子質(zhì)譜后處理軟件
詳情請(qǐng)聯(lián)系 info
SIMS APPLICATIONS
MCsn+ molecular ion – SIMS for direct chemical analysis of nanostructures without calibration standards