概述
GTEM小室TBTCx EMC電磁兼容輻射騷擾測試或抗擾度測試通常在電磁屏蔽室中進行，使用天線接收輻射信號。由于帶寬限制，需要多個天線才能覆蓋整個頻率范圍。此外，屏蔽暗室需要很大的空間場地，并且用于標(biāo)準(zhǔn)一致性測試的設(shè)備成本很高。
中小型企業(yè)的工程師通常必須依靠工作經(jīng)驗和實踐方法來設(shè)計符合EMC的產(chǎn)品。但是，據(jù)估計，有超過50％的產(chǎn)品在測試中未通過。當(dāng)新產(chǎn)品送至認(rèn)證實驗室進行合規(guī)性測試時，測試失敗具有非常高的成本，不僅重新測試成本，同時項目進度和市場推廣也被推遲。
因此需要的是一個價格合理的實驗室，可以在合規(guī)性測試之前工程師自己在實驗室中進行輻射騷擾預(yù)測試。TEM單元是用于桌面輻射騷擾測試的設(shè)備，Tekbox開發(fā)的開放式TEM單元，頻率覆蓋高達(dá)2GHz范圍，即使在更高的頻率（6GHz）下也具有可用性。
GTEM小室TBTCx TEM單元可與頻譜分析儀結(jié)合使用，可以對產(chǎn)品EMC相關(guān)的設(shè)計修改前后對產(chǎn)品進行驗證測試。TEM Cell裝置無法得到與經(jīng)過認(rèn)證的實驗室測量*相同的測量結(jié)果，但是它能很好的表明產(chǎn)品設(shè)計是否有輻射騷擾，工程師將清楚地看到輻射情況，它所做的是產(chǎn)品更改是否改善了EMC性能，或者它是否保持不變。使用TEM單元消除了對產(chǎn)品輻射騷擾的猜測。
GTEM小室TBTCxTEM單元是用于電子設(shè)備的輻射發(fā)射和抗擾度測試的帶狀線設(shè)備。由于其尺寸和成本，它不是認(rèn)證測試實驗室的替代品，它是在實驗室中進行測量的便捷替代方法。
Tekbox開放式橫電波小室TEM Cell單元由隔板，中間部分的導(dǎo)電條和接地的壁組成。呈現(xiàn)為幾何形狀設(shè)計的50Ω帶狀線。被測設(shè)備（DUT）放置在底壁和隔板之間。
TBTC1 / 2/3是開放式TEM單元，它沒有側(cè)壁，便于放置DUT。沒有側(cè)壁可能會拾取環(huán)境背景噪聲，但是可以通過在DUT上電之前對單元輸出信號進行測量環(huán)境噪音來將其考慮在內(nèi)。
與同等尺寸標(biāo)準(zhǔn)TEM單元相比，Tekbox開放式TEM單元具有更好的頻率響應(yīng)。TEM單元的高階波模式的限制可用帶寬。Tekbox TEM單元的設(shè)計實現(xiàn)了垂直于所需波傳播方向的電阻。因此，高階波和共振被抑制。
所有TGTEM小室TBTCx單元都提供50Ω/25W射頻終端負(fù)載和直流塊，用于保護頻譜分析儀或接收機輸入
應(yīng)用：
輻射干擾測試
抗擾度測試
TEM和場強
TBTC0，應(yīng)用射頻功率 | 隔板與壁之間的場強 |
10W（40dBm） | 799 V/m |
1W（30dBm） | 253 V/m |
0.1W（20dBm） | 82 V/m |
0.01W（10dBm） | 25 V/m |
TBTC0 ,場強與射頻功率
TBTC1，應(yīng)用射頻功率 | 隔板與壁之間的場強 |
10W（40dBm） | 447 V/m |
1W（30dBm） | 141 V/m |
0.1W（20dBm） | 44 V/m |
0.01W（10dBm） | 14 V/m |
TBTC1 ,場強與射頻功率
TBTC2，應(yīng)用射頻功率 | 隔板與壁之間的場強 |
10W（40dBm） | 224 V/m |
1W（30dBm） | 71 V/m |
0.1W（20dBm） | 22 V/m |
0.01W（10dBm） | 7 V/m |
TBTC2 ,場強與射頻功率
TBTC3，應(yīng)用射頻功率 | 隔板與壁之間的場強 |
10W（40dBm） | 148 V/m |
1W（30dBm） | 47 V/m |
0.1W（20dBm） | 14 V/m |
0.01W（10dBm） | 5 V/m |
TBTC3 ,場強與射頻功率
技術(shù)指標(biāo)
TBTC0 | |
長度 | 390 mm |
寬度 | 100 mm |
高度 | 62 mm |
隔墊高度 | 28 mm |
隔墊下方矩形區(qū)域尺寸 | 19×7×2.8 cm |
連接器 | N型-母 |
單元阻抗 | 50歐 |
阻抗 | 377歐 |
射頻輸入功率 | 10W （受提供50端接空限制） |
輸入回波損耗 | S11 @ 3.15G ＜ -1.5dB |
傳輸損耗 | 3G ＜ 3dB, 6G ＜ 4dB |
TBTC1 | |
長度 | 390 mm |
寬度 | 200 mm |
高度 | 108 mm |
隔墊高度 | 50 mm |
隔墊下方矩形區(qū)域尺寸 | 19×13×5 cm |
連接器 | N型-母 |
單元阻抗 | 50歐 |
阻抗 | 377歐 |
射頻輸入功率 | 25W （受提供50端接空限制） |
輸入回波損耗 | S11 @ 1.2G＜-20dB；2.1G＜-17dB； 3G＜-14dB |
傳輸損耗 | 1.4G＜1dB, 2.1G＜3dB，3G＜6dB |
TBTC2 | |
長度 | 636 mm |
寬度 | 300 mm |
高度 | 205 mm |
隔墊高度 | 100 mm |
隔墊下方矩形區(qū)域尺寸 | 23×28×10 cm |
連接器 | N型-母 |
單元阻抗 | 50歐 |
阻抗 | 377歐 |
射頻輸入功率 | 25W （受提供50端接空限制） |
輸入回波損耗 | S11 @ 800MHz＜-15dB；1.5G＜-10dB； 3G＜-8dB |
傳輸損耗 | 800MHz＜1dB, 1.15G＜3dB |
TBTC3 | |
長度 | 1038 mm |
寬度 | 501 mm |
高度 | 305 mm |
隔墊高度 | 150 mm |
隔墊下方矩形區(qū)域尺寸 | 36×48×15 cm |
連接器 | N型-母 |
單元阻抗 | 50歐 |
阻抗 | 377歐 |
射頻輸入功率 | 25W （受提供50端接空限制） |
輸入回波損耗 | S11 @ 700MHz＜-16dB； |
傳輸損耗 | 730MHz＜3dB |
DC-Block 50V-6GHz-N | |
連接器 | N-Male / Female |
標(biāo)稱阻抗 | 50歐 |
連續(xù)射頻功率 | 2W |
連續(xù)射頻電壓 | 50V RMS |
頻率 | 500KHz – 6GHz |
VSWR | ≤ 1.2 |
RF終端 50Ω-3GHz-25W-N | |
連接器 | N |
標(biāo)稱阻抗 | 50歐 |
連續(xù)射頻功率 | 25W |
頻率 | DC-3GHz |
VSWR | ≤1.2 |
| |
