- 產(chǎn)品描述
TRX30坩堝下降法晶體生長爐是常用的晶體生長方法之一。將原料置于圓柱型的坩堝中,緩慢下降通過1個具一定溫度梯度的加熱爐,爐溫控制在略高于材料的熔點附近。在通過加熱區(qū)域時,坩堝中的原料被熔融,當坩堝持續(xù)下降時,底部的溫度先下降到熔點以下開始結(jié)晶,晶體隨坩堝下降而持續(xù)長大。這種方法生長的晶體尺寸大,操作和設(shè)備簡便,生長晶體品種多,在晶體生長中被廣泛運用。
序號
項 目
參 數(shù)
1
加熱功率
10Kw
2
加熱溫度
1000°C
3
控溫精度
≤±1°C
4
加熱區(qū)直徑
Φ350
5
加熱區(qū)長度
400
6
晶體直徑
200mm
7
坩堝軸行程
2000mm
8
坩堝運動速度
慢速:0.05-20mm/h
快速:≥200mm/min
9
外形尺寸(mm)
1500×1500×3200
10
重量
約1200kg