數(shù)字電橋
產(chǎn)品說明
產(chǎn)品說明
產(chǎn)品名稱:數(shù)字電橋 產(chǎn)品型號(hào):LX-2011LX-2011數(shù)字電橋的測(cè)量對(duì)象為阻抗元件的參數(shù),包括交流電阻R、電感L及其品質(zhì)因數(shù)Q,電容C及其損耗因數(shù)D。因此,又常稱數(shù)字電橋?yàn)閿?shù)字式LCR測(cè)量儀。其測(cè)量用頻率自工頻到約100千赫?;緶y(cè)量誤差為0.02%,一般均在0.1%左右。
LX-2011數(shù)字電橋廣泛的測(cè)量對(duì)象
半導(dǎo)體元件:電容器、電感器、磁芯、電阻器、變壓器、芯片組件和網(wǎng)絡(luò)元件等的阻抗參數(shù)測(cè)量。
其它元件:印制電路板、繼電器、開關(guān)、電纜、電池等的阻抗評(píng)估。
介質(zhì)材料:塑料、陶瓷和其它材料的介電常數(shù)的損耗角評(píng)估。
磁性材料:鐵氧體、非晶體和其它磁性材料的導(dǎo)磁率和損耗角評(píng)估。
半導(dǎo)體材料:半導(dǎo)體材料的介電常數(shù),導(dǎo)電率和C-V特性。
液晶材料:液晶單元的介電子常數(shù)、彈性常數(shù)等C-V特性。
多種元件、材料特性測(cè)量能力
多參數(shù)混合顯示功能
多參數(shù)同時(shí)顯示可滿足復(fù)雜元件各種分布參數(shù)的全面觀察與評(píng)估要求,而不必反復(fù)切換測(cè)量參數(shù)。
電感L和其直流電阻DCR可以同時(shí)測(cè)量顯示,顯著提高電感測(cè)量效率。
揭示電感器件的多種特性
使用內(nèi)部/外部直流偏置,結(jié)合各種掃描測(cè)試功能,可以精確地分析磁性材料、電感器件的性能。
通過偏置電流疊加測(cè)試功能,可以精確測(cè)量高頻電感器件、通訊變壓器,濾波器的小電流疊加性能。使用外部電流疊加裝置,可使偏置電流達(dá)40A以精確分析高功率、大電流電感器件。
精確的陶瓷電容測(cè)量
1kHz和1MHz是陶瓷材料和電容器的主要測(cè)試頻率。陶瓷電容器具有低損耗值的特征,同時(shí)其容量、損耗施加之交流信號(hào)會(huì)產(chǎn)生明顯的變化。
儀器具有寬頻測(cè)試能力并可提供良好的準(zhǔn)確度,六位分辨率和自動(dòng)電平控制(ALC)功能等,中以滿足陶瓷材料和電容器可靠、準(zhǔn)確的測(cè)試需要。
液晶單元的電容特性測(cè)量
電容-電壓(C-Vac)特性是評(píng)價(jià)液晶材料性能的主要方法,常規(guī)儀器測(cè)量液晶單元的C-Vac特性遇到一個(gè)問題是測(cè)試電壓不夠。
使用擴(kuò)展測(cè)量選件可提供分辨率為1%及達(dá)20Vms的可編程測(cè)試信號(hào)電平,使它能在條件下進(jìn)行液晶材料的電容特性測(cè)量。
半導(dǎo)體材料和元件的測(cè)量
進(jìn)行MOS型半導(dǎo)體制造工藝評(píng)價(jià)時(shí),需要氧化層電容和襯底雜質(zhì)密度這些參數(shù),這些可從C-Vdc特性的測(cè)量結(jié)果推導(dǎo)出來。
通過提供的直流源,結(jié)合各種掃描功能,可以方便地完成C-VDC特性的測(cè)量。
為了測(cè)試晶圓上的半導(dǎo)體器件,需要延伸電纜和探頭,儀器的1m/2m/4m延伸電纜選件可將電纜延伸的誤差降至最小。
各種二極管、三極管、MOS管的分布電容也是本儀器的測(cè)試內(nèi)容。
LX-2011數(shù)字電橋,可用于計(jì)量測(cè)試部門對(duì)阻抗量具的檢定與傳遞,以及在一般部門中對(duì)阻抗元件的常規(guī)測(cè)量。很多數(shù)字電橋帶有標(biāo)準(zhǔn)接口,可根據(jù)被測(cè)值的準(zhǔn)確度對(duì)被測(cè)元件進(jìn)行自動(dòng)分檔;也可直接連接到自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),用于元件生產(chǎn)線上對(duì)產(chǎn)品自動(dòng)檢驗(yàn),以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過程的質(zhì)量控制。