EMG LIC1075/11光發(fā)射器
由光源（激光器或發(fā)光二極管）及其驅(qū)動電路（有時也加監(jiān)控或其它電路）組成的具有光發(fā)射功能的混合集成模塊或單片集成組件。驅(qū)動電路必須提供足夠的電流，因此要求搭配大電流的電器件。
EMG LIC1075/11光發(fā)射器
EMG LIC1075/11光發(fā)射器
德國EMG 攝像頭 LS13.01
EMG LLS675/01光源
EMG光源LLS1075/01
EMG EVK2-CP/300.02/R光電傳感器
EMG LWH-0300位置傳感器
EMG KLW300.012位移傳感器
EMG LLS 675/02 電動缸
EMG SV1-10/16/120/6 伺服閥
EMG SV1-10/16/315-6伺服閥
EMG SV1-10/32/315/6伺服閥
EMG SV1-10/32/315/8伺服閥
EMG SV1-10/48/315/8伺服閥
EMG SV2-10/64/210/6伺服閥
EMG SV1-10/8/315/6伺服閥
EMG SV1-10/48/315/6伺服閥
EMG SV1-10/32/100/6伺服閥
EMG SV1-10/8/120/6伺服閥
EMG SV1-10/4/120/6伺服閥
EMG SV2-16/125/315/1/1/01伺服閥
EMG KLW 360.012傳感器
EMG KLW150.012傳感器
EMG KLW225.012傳感器
EMG KLW300.012傳感器
EMG KLW450.012傳感器
EMG KLW600.012傳感器
EMG LLS675/02 LICHTBAND對中整流器
EMG LID2-800.32C 對中光源發(fā)射器
EMG LID2-800.2C 對中光源發(fā)射器
EMG DMC2000-B3-160-SMC002-DCS電動執(zhí)行器
EMG LIC2.01.1電路板
EMG EB1250-60IIW5T推動桿
EMG EB800-60II推動桿
EMG EB220-50/2IIW5T推動桿
EMG EB300-50IIW5T推動桿
EMG EVB03/235351放大器
EMG DMCR59-B1-10電動執(zhí)行器
由光源（激光器或發(fā)光二極管）及其驅(qū)動電路（有時也加監(jiān)控或其它電路）組成的具有光發(fā)射功能的混合集成模塊或單片集成組件。驅(qū)動電路必須提供足夠的電流，因此要求搭配大電流的電器件。光發(fā)射器制作的關(guān)鍵問題是降低激光器的閾值電流。GaAs系量子阱（QW）激光器閾值電流為毫安量級，GaAs MESFET（金屬特基勢壘場效應管）可提供符合要求的驅(qū)動電流，已有GaAs系光發(fā)射器集成。但適合1.3μm，1.5μm波長光纖通信發(fā)送電路用的InP系激光器（不論是異質(zhì)結(jié)構(gòu)還是量子阱結(jié)構(gòu)），閾值電流還較高，達十幾毫安，只制成了混合集成系列光發(fā)射器模塊。單片集成的電器件很不成熟，工藝難度很大。對MISFET（金屬-絕緣體-半導體場效應管）、JFET（結(jié)型場效應管）或異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）進行了實驗。將它們和激光器集成在InP基片上的工藝兼容性還有許多問題尚待解決。宜制作各種短波長和長波長激光器的GaAs和InP材料,同時又是制作微波晶體管等高速電子線路以及雪崩光電二極管(APD)等高速光電探測器的良好材料。OEIc繼承了GaAs和IoP集成電路的高速性和光電器件的功能性,因而具有更強的功能和突出的*性。由于在Ga人s襯底上已經(jīng)得到了性能優(yōu)良的結(jié)型探測器、激光器(LD)和場效品體管F(ET),并且制作工藝也較成熟。1978年Ya:vi實驗室在GaAs襯底上實現(xiàn)了GaAIAs激光器和一個耿氏(Gu,In)器件的集成。此后許多實驗室相繼做出了各種結(jié)構(gòu)的OEIC,文實現(xiàn)了LD/F（ET）的集成，得到了光電探測器與FET的集成和中繼器的單片集成。OEIC具有許多*性。它不僅由于集成了光電的多功能性，而且降低了寄生電容和寄生電感而極大地提高了速度,降低了噪聲。另外,多元件的單片集成減少了系統(tǒng)結(jié)構(gòu)所需要的元件數(shù)目,而且有更好的密集性和高度的可靠性,同時也減小了功耗。
