產(chǎn)品特點(diǎn)
配備技術(shù)自循環(huán)凈化裝置(UV-PLUS)的光學(xué)系統(tǒng)SPECTROLAB的光學(xué)系統(tǒng)了傳統(tǒng)光電管光學(xué)系統(tǒng)和CCD全譜光學(xué)系統(tǒng)的所有優(yōu)點(diǎn)。采用優(yōu)化帕邢—龍格原理的“半殼”鑄造鋁框架技術(shù)提供了超常堅(jiān)固的機(jī)械結(jié)構(gòu),同時(shí)減小了內(nèi)部容積。為減少外部環(huán)境的影響,光學(xué)系統(tǒng)內(nèi)部恒溫恒壓。
主光學(xué)系統(tǒng)內(nèi)部包括兩個(gè)的光譜模塊—光電管光學(xué)部分和CCD光學(xué)部分,各自配備一個(gè)原級(jí)全息光柵。第三光學(xué)系統(tǒng)是一個(gè)的空氣光學(xué)系統(tǒng),將波長范圍擴(kuò)展到780nm。的自循環(huán)凈化系統(tǒng)(UV-PLUS)用于測(cè)量紫外波段(UV)和遠(yuǎn)紫外波段(VUV)光譜。嚴(yán)格密封的光學(xué)室內(nèi)部充以氬氣,無需復(fù)雜的技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)紫外及遠(yuǎn)紫外光在光學(xué)系統(tǒng)內(nèi)不被吸收。分子薄膜泵驅(qū)動(dòng)氬氣在光學(xué)系統(tǒng)內(nèi)部和凈化裝置中循環(huán)。可以避免采用真空系統(tǒng)產(chǎn)生的油蒸氣污染或流動(dòng)沖氣系統(tǒng)帶來的外部污染。保持潔凈的光學(xué)系統(tǒng)和優(yōu)異的長期穩(wěn)定性表現(xiàn)。UV-PLUS的優(yōu)點(diǎn)是較大程度降低了運(yùn)行成本,并且在120-180nm的遠(yuǎn)紫外光譜波段提供了出色的光學(xué)表現(xiàn)。
*的光學(xué)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和UV-PLUS技術(shù),使得創(chuàng)新的SPECTROLAB光學(xué)系統(tǒng)能夠記錄120-780 nm波段的所有的一級(jí)相關(guān)光譜信息,CCD光學(xué)系統(tǒng)的光譜分辨率達(dá)到9皮米。
等離子發(fā)生器激發(fā)光源:新的研發(fā)的SPECTRO高效等離子發(fā)生器激發(fā)光源可以提供穩(wěn)定的火花放電。采用全數(shù)字信號(hào)發(fā)生和激發(fā)過程控制,激發(fā)區(qū)域的等離子能量可以高精度、高保真輸出。由于具備了全新的激發(fā)參數(shù)設(shè)置以及高純度的信號(hào)輸出,激發(fā)光源的精度得以明顯提析精度因此明顯提析周期較大程度縮短。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用程序,每次分析時(shí)間不超過18秒。
分析性能
根據(jù)用戶需求,量身定制。十種標(biāo)準(zhǔn)基體鐵、鋁、銅、鎳、鈷、鎂、鈦、錫、鉛和鋅,可以與五種貴金屬基體:金、銀、鉑、鈀和釕組合配置。在 CCD 光學(xué)系統(tǒng)中可以實(shí)現(xiàn)120-780nm波長范圍內(nèi)所有元素的全譜記錄。在光電管光學(xué)系統(tǒng)中多可以放置108個(gè)高性能光電備增管通道,每個(gè)通道配有微積分器(TRS功能)和單火花評(píng)估(SSE功能)。由此可以保證每一分析要求得以佳化滿足。配備新現(xiàn)代化的光譜技術(shù)和高質(zhì)量的組成部件,SPECTROLAB適用于各種分析要求。出眾的分析性能與高度靈活性相結(jié)合,能夠勝任諸如:過程控制分析,來料及成品檢驗(yàn),研究開發(fā)部門、檢驗(yàn)檢測(cè)機(jī)構(gòu)等各方面分析任務(wù)。
讀出系統(tǒng)
新設(shè)計(jì)的讀出系統(tǒng)可以同時(shí)處理來自光電管檢測(cè)器和CCD檢測(cè)器的信號(hào)。共有22塊(加第三光學(xué)系統(tǒng)共37塊)CCD檢測(cè)器,每個(gè)CCD包括3800像素,類似全譜波長掃描,測(cè)量后大量數(shù)據(jù)結(jié)果可以集中顯示。這為材料研究(如未知材料判定,新合金配方等)提供了新的分析手段。日常分析過程基于選定的光譜線,只有元素的信號(hào)被采集。這可以實(shí)現(xiàn)瞬時(shí)信號(hào)的實(shí)時(shí)采集。分析結(jié)果可以取自整個(gè)測(cè)量過程中某一時(shí)序的瞬時(shí)信號(hào)測(cè)定。根據(jù)應(yīng)用要求,某些光譜線采用光電倍增管測(cè)量。光電流由微積分器處理,可以實(shí)現(xiàn)微秒級(jí)測(cè)量,每一單個(gè)火花放電過程可進(jìn)行100次以上的步進(jìn)測(cè)量,每個(gè)光電管通道的光譜峰值由步進(jìn)過程描跡而成。實(shí)現(xiàn)這些步進(jìn)過程測(cè)量以后,就可以根據(jù)需要定義測(cè)量“窗口”為其中某一時(shí)段動(dòng)態(tài)范圍或較好信背比時(shí)段(痕量火花分析技術(shù)SAFT),用以分析微量元素。相對(duì)于傳統(tǒng)的積分測(cè)量技術(shù),現(xiàn)在可以測(cè)量每一單個(gè)火花的放電信號(hào),而不是將千百次火花放電的總信號(hào)量積分成一個(gè)總量。由此實(shí)現(xiàn)剔除因樣品中夾雜物或氣造成的“失敗”放電信號(hào)。SSE單火花評(píng)價(jià)技術(shù)可以明顯提較高的析性能??梢园凑辗治鲆蠓謩e定義每一光電管通道的SAFT和SSE功能,也可以在一個(gè)分析周期內(nèi)多次定義。這一靈活性可以在短的分析時(shí)間內(nèi)獲得佳分析結(jié)果。
技術(shù)參數(shù)
多光學(xué)系統(tǒng):帕邢—龍格結(jié)構(gòu),光柵焦距 750 mm,羅蘭圓,光學(xué)系統(tǒng)恒溫分析波長范圍:120-780 nm
的氬氣自動(dòng)循環(huán)氣體凈化系統(tǒng),用于分析小于200 nm波長的譜線
光路氬氣沖洗系統(tǒng)
全息原級(jí)光柵 3600,2924線/毫米
光柵材料:微晶石英
主光學(xué)系統(tǒng):3600線/毫米光柵,0.37 nm/mm (1級(jí)光譜)2924線/毫米光柵,0.46/0.23 nm/mm(1/2 級(jí)光譜)第三光學(xué)系統(tǒng)400 mm焦距2400線/毫米光柵,1.04 nm/mm (1級(jí)光譜)
熱量吸收裝置,無需水冷卻
采光快門優(yōu)化觀測(cè)角度激發(fā)系統(tǒng):全數(shù)字等離子發(fā)生器。數(shù)字放電參數(shù)設(shè)定,數(shù)字脈沖發(fā)生器,數(shù)字離線脈沖控制,32MHz微處理器控制,采樣速率:200微秒400次,能量分辨率:125毫瓦,長單次火花放電時(shí)間:4000微秒,火花功率:4千瓦
光電管和CCD系統(tǒng)平行運(yùn)行,平行12 Bit模數(shù)轉(zhuǎn)換器,每個(gè)信道1 MHz
系統(tǒng)和操作過程自動(dòng)診斷
外置計(jì)算機(jī)控制:Windows操作系統(tǒng) 鍵盤和鼠標(biāo) 打印機(jī)
電源要求:230 VAC -15%/+10%,50 HZ
待機(jī)功率 0.5 kVA 激發(fā)功率 1.0 kVA 16 A 慢熔保險(xiǎn)絲
儀器尺寸:1674× 771× 1409毫米(長×寬×高)
重量:重約520kg(不包括附屬設(shè)備)