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CV-5000 電容電壓特性測試儀

參考價
面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號CV-5000
  • 品牌西潤斯
  • 所在地北京市
  • 更新時間2024-05-07
  • 廠商性質生產廠家
  • 入駐年限6
  • 實名認證已認證
  • 產品數(shù)量2970
  • 人氣值172202
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 北京西潤斯儀器儀表有限公司是一家致力于自動化儀器儀表產品研發(fā)、、銷售和工程服務的專業(yè)公司!以自主研發(fā)自動化儀器儀表和代理國外品牌為經營方式!
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產地國產 加工定制 適用行業(yè)其他
在集成電路特別是MOS電路的生產和開發(fā)研制中,MOS電容的C-V測試是極為重要的工藝過程監(jiān)控測試手段,通過C-V測試達到優(yōu)化生產過程中的工藝參數(shù),提高IC成品率。
MOS(金屬-氧化物-半導體)結構的電容是外加偏置電壓的函數(shù),MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線(簡稱C-V特性)。C-V曲線與半導體的導電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有密切的關系。 利用實際測量到的M
電容電壓特性測試儀 產品詳情

在集成電路特別是MOS電路的生產和開發(fā)研制中,MOS電容的C-V測試是極為重要的工藝過程監(jiān)控測試手段,通過C-V測試達到優(yōu)化生產過程中的工藝參數(shù),提高IC成品率。
MOS(金屬-氧化物-半導體)結構的電容是外加偏置電壓的函數(shù),MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線(簡稱C-V特性)。C-V曲線與半導體的導電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有密切的關系。 利用實際測量到的MOS結構的C-V曲線與理想的MOS結構的C-V特性曲線比較,可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù)。
另外作為組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應(勢壘電容)。加正向偏壓時,PN結勢壘區(qū)變窄,勢壘電容變大;加反向偏壓時,PN結勢壘區(qū)變寬,勢壘電容變小。

CV-5000型電容電壓特性測試儀是測試頻率為1MHz的智能化數(shù)字的電容測試儀器,既可用于測試半導體器件PN結的勢壘電容在不同偏壓下的電容量,也可進行Mos電容的外加電壓掃描測試,還可測試其它MIS電容。
該電容電壓特性測試系統(tǒng)由主機和上位機(PC)組成,并在軟件控制下完成校準及測試等功能,同時顯示C-V電容電壓特性曲線。主機面板上的發(fā)光二極管指示儀器的工作狀態(tài),用數(shù)碼管組成的顯示板,將被測元件的數(shù)值,小數(shù)點清晰地顯示出來。儀器有較高的分辨率,電容量是五位讀數(shù),可分辮到0.001pF,偏置電壓分辨力為0.1V,漏電流分辨力為0.01uA。
儀器配有專用CV-5000型測量座,接插元件靈活,方便可靠。

CV-5000型電容電壓特性測試儀軟件測試系統(tǒng)是一個運行在計算機上擁有友好測試界面的用戶程序,程序操作直觀易用。測試程序在計算機與CV-5000型電容電壓特性測試測試儀連接的狀態(tài)下,通過計算機的USB口實現(xiàn)通訊。
測試程序控制電容電壓特性測試測試儀進行測量并采集測試數(shù)據(jù),把采集到的數(shù)據(jù)在計算機中加以分析,然后把測試數(shù)據(jù)以表格,圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對采集到的數(shù)據(jù)在計算機中保存或者打印以備日后參考和查看,還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中,讓用戶對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析。

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技 術 指 標 :

測試信號頻率
1.000MHz±0.01%
測試信號電壓
小于或等于100mVrms
電容測量范圍
1.000pF~2000.0pF
工作誤差
±3.0%±2字
直流偏壓
-35V~+35V(可擴展),由軟件按設定步進電壓值輸出偏置電壓;
軟件功能

由軟件控制電壓的掃描輸出,讀取不同電壓點的電容值并在電腦中繪出電容-
電壓的變化曲線;

電腦通訊接口
USB通訊接口;
應用
主要應用于PN結摻雜和MOS摻雜C-V特性測量在不同偏壓下的電容量,也可測試
其它電容。
供電電源
交流電壓:220V±5%;頻率: 50Hz±5%;消耗功率:不大于40W;
工作環(huán)境
溫度:0~40℃;濕度:20%~90%RH 40℃;


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