(aixPES Self-Discharge Measurement )
本設(shè)備主要用來研究電介質(zhì)材料的自漏電性。
由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況,因此通過這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。
技術(shù)說明:
電壓脈沖發(fā)生器:
- 大電壓放大: +/- 10 V;
- 小脈沖長(zhǎng)度:50 ns;
- 大脈沖長(zhǎng)度:640 μs。
開關(guān)性能:
- 激勵(lì)弛豫時(shí)間<2ns;
- Ron< 50 ?;
- Roff >1013 ?。
高阻抗電流計(jì):
- 輸入阻抗:1013 ?;
- 輸入電容:30 fF。