基本技術參數(shù)
1、半導體冷阱:
(1)容積≈0.7dm3(用工業(yè)酒精)
?。?)額定溫度:-60℃
?。?)額定工作電流:30A
(4)冷卻水、水壓:0.1-0.2MPa 冷卻水溫度≤25℃
2、溫度調節(jié)范圍:-60℃-室溫
3、試樣冷卻時間:180±0.5秒
4、提出夾持器并于0.5秒內沖擊試樣
5、沖擊位置:
?。?)沖擊器與試樣之間距離為25±1毫米
?。?)從沖擊位置到試樣夾持器下端的距離為11±0.5毫米
?。?)沖擊行程為40±1毫米
6、氣源泉壓力:0.41MPa
7、電源電壓交流:380V±10% 50Hz 功率:0.8KVA
8、外形尺寸:1100×600×1100mm
9、重量:(毛重)280kg