基于自混干涉技術(shù)的激光測(cè)振儀的構(gòu)造要比傳統(tǒng)的多普勒效應(yīng)的激光測(cè)振儀簡(jiǎn)單得多。從半導(dǎo)體二極管出來(lái)的激光打到反射或散射表面后，一小部分背反射或背散射的光再次進(jìn)到激光腔體，然后產(chǎn)生干涉信號(hào)，從中可以得到被測(cè)表面法向方向的位移 。
VSM1000-MICRO采用兩種激光。測(cè)量振動(dòng)的激光是紅外（波長(zhǎng)1310nm），不可見(jiàn)的。紅外和不可見(jiàn)激光是*的眼睛安全的。另外一個(gè)紅色的指示激光是為不可見(jiàn)的紅外激光對(duì)中之用。為了不占滿(mǎn)攝像機(jī)，紅色指示激光的功率減到1mw，光斑大小為10um.激光測(cè)振儀被附在顯微鏡的特殊調(diào)節(jié)架上，邊通濾波鏡主要用以紅外激光和可見(jiàn)激光的反射，然后分別聚焦到測(cè)試目標(biāo)上。濾波鏡能夠傳遞20%從測(cè)試表面上散射回來(lái)的光，并且在CMOS攝像機(jī)的傳感器上聚焦。為了能對(duì)中方便，顯微鏡裝在一個(gè)俯仰、傾斜和旋轉(zhuǎn)位移臺(tái)上。顯微鏡激光測(cè)振儀測(cè)量測(cè)試表面的法向分量的振動(dòng)。
性能指標(biāo)：
測(cè)量范圍：13mm X 13mm
顯微鏡攝像機(jī)可見(jiàn)區(qū)域：2mm X 2mm
攝像機(jī)分辨率：1.4um
激光等級(jí)：2
頻率范圍：0-50KHZ ( 加EXT選項(xiàng)可拓展到35MHZ)
位移分辨率：10 pm/sqrt(Hz)
速度分辨率： 0.1 (µm/s)/sqrt(Hz)@1KHz，100 (µm/s)/sqrt(Hz)@ 2MHz
精度：1%
工作距離：
45.0 mm(5倍放大)，
30.8 mm (20倍放大)
20.5 mm(50倍放大) ·
光斑大小:
20 µm(5倍放大)
8 µm(20倍放大)
< 4="" µm="">倍放大)
量程大?。?/span>
2 mm(5倍放大) ±
0.75mm(20倍放大) ±
0.5 mm(50倍放大)
速度: +-1 m/s（0-50KHZ）,+-10 m/s @1MHz ; +-30 m/s @3MHz
選型說(shuō)明：
顯微式激光測(cè)振儀可以上單點(diǎn)的，也可以做成二維掃描和三維的。
如VSM1000-MICRO表示顯微式單點(diǎn)測(cè)振儀。
VSM4000-MICRO-SCAN-2D表示顯微式二維掃描激光測(cè)振儀。
VSM4000-MICRO-SCAN-3D表示顯微式三維掃描激光測(cè)振儀。
頻帶寬為：
標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品：0-50KHZ,可拓展到3MHZ/10MHZ/35MHZ。
如：VSM4000-MICRO-SCAN-3D-EXT表示頻帶寬為3MHZ的顯微式三維掃描激光測(cè)振儀。
如果需要10MHZ和35MHZ，需把數(shù)據(jù)加載EXT后面。
VSM4000-MICRO-SCAN-3D-EXT35M表示頻帶寬為35MHZ的顯微式三維掃描激光測(cè)振儀。
主要應(yīng)用：
顯微式激光測(cè)振儀主要用于芯片/電力半導(dǎo)體器件/半導(dǎo)體薄膜/MEMS的零部件/電子器件和供電內(nèi)部連接件/MEMS加速度傳感器模子的振動(dòng)模態(tài)及結(jié)構(gòu)優(yōu)化。如：硅片、IC、LCD、TFT、PCB、MEMS激光加工、晶片測(cè)試、半導(dǎo)體材料、線(xiàn)束加工蝕刻、液晶電池蓋、導(dǎo)線(xiàn)框架等產(chǎn)品的檢查觀察。
