單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單
晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，
實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與
金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性
能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力，可應(yīng)對(duì)復(fù)雜的化學(xué)場(chǎng)合和
機(jī)械負(fù)荷，同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁*力，適合苛刻
的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、液位或流量測(cè)量應(yīng)用。
主要參數(shù)
測(cè)量介質(zhì)
壓力類型 表壓
量程范圍 2kPa - 40MPa，詳見(jiàn)選型表
輸出信號(hào) 4-20mA、4-20mA+HART及其它
參考精度 ±0.1%量程上限，可選±0.075%量程上限，
詳見(jiàn)規(guī)格參數(shù)
與接觸材質(zhì)兼容的流體
壓力、液位測(cè)量
單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單
晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，
實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與
金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性
能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力，可應(yīng)對(duì)復(fù)雜的化學(xué)場(chǎng)合和
機(jī)械負(fù)荷，同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁*力，適合苛刻
的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、液位或流量測(cè)量應(yīng)用。
量程及范圍極限
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：GB/T28474/IEC60770；基準(zhǔn)條件：從零點(diǎn)開(kāi)
始的量程；硅油充液，316L不銹鋼隔離膜片，4-20mA模擬
輸出，端基微調(diào)至設(shè)定值
性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及基準(zhǔn)條件
總體性能包括并不限于【參考精度】、【環(huán)境溫度影響】、
和其它影響的綜合誤差
典型精度：±0.1%量程上限
年穩(wěn)定性：±0.2%SPAN/5年
性能指標(biāo)
依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試基準(zhǔn)條件，包括線性（BFSL）、遲滯、重復(fù)
性。校準(zhǔn)溫度：20℃±5℃
線性輸
出精度
TD≤10（注1） ±0.1%SPAN
（注2）
標(biāo)稱量程：
40kPa、250kPa
1MPa、3MPa
10MPa、40MPa
10<TD≤20 ±0.01TD%
SPAN
注 1：TD（Turn down）是指量比，
TD=URL/｜URV-LRV｜
注2：SPAN指量程差：SPAN=｜URV-LRV｜
參考精度
標(biāo)稱量程 最小量程 量程下限
（LRL）
量程上限
（URL）
過(guò)載
40kPa 2kPa -40kPa 40kPa 1MPa
250kPa 12.5kPa -100kPa 250kPa 4MPa
1MPa 50kPa -100kPa 1MPa 6MPa
3MPa 150kPa -0.1MPa 3MPa 15MPa
10MPa 500kPa -0.1MPa 10MPa 20MPa
40MPa 5MPa -0.1MPa 40MPa 80MPa
以上測(cè)量量程也可換算為以kg/cm
2、MPa和kPa等單位表
示。可根據(jù)要求提供其他測(cè)量量程。
設(shè)置高、低限值要求：低限值（LRV)與高限值（URV)在量
程上下限范圍內(nèi)取值，最小量程≤｜URV-LRV｜ ≤量程上限
在-20-80℃范圍內(nèi)每10℃總影響量 ±（0.1+0.015TD）%
SPAN
環(huán)境溫度影響（典型值）
任意位置安裝，大不超過(guò)400Pa可通過(guò)清零功能校正
安裝位置影響
輸出信號(hào)
GB/T1827.3/IEC61298-3 <0.1%
振動(dòng)影響
二線制4-20mA，用戶可選線性輸出或平方根輸出，數(shù)字過(guò)
程變量疊加于4-20mA信號(hào)上，適用于任何符合HART協(xié)議
的主機(jī)
≥20MΩ@參考條件下，100VDC
