集成電路測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

     GT2200A測(cè)試儀集功能測(cè)試、參數(shù)測(cè)試于一體，專門用于各種單運(yùn)放、多運(yùn)放和電壓比較器的測(cè)量 。
     功能測(cè)試、測(cè)量數(shù)據(jù)、管腳選擇、數(shù)據(jù)比較等均由CPU完成，不需過(guò)多的人工干預(yù)。只需簡(jiǎn)單且較少的按鍵操作就能讓您得到您所關(guān)心的芯片參數(shù)，或優(yōu)劣程度。免去使用各種接線盒來(lái)適配各種不同的運(yùn)放/比較器的煩惱。測(cè)試操作簡(jiǎn)單，功能齊全，可按需要選取測(cè)量參數(shù)，測(cè)量結(jié)果不受人為因素影響。

集成電路測(cè)試儀產(chǎn)品特點(diǎn):

1．根據(jù)IC型號(hào)自動(dòng)切換測(cè)試，無(wú)需人工轉(zhuǎn)接線更換測(cè)試盒。
2．具有自校準(zhǔn)功能，測(cè)試參數(shù)基準(zhǔn)穩(wěn)定。
3．測(cè)試參數(shù)值讀取快潔、直觀。
4．測(cè)試操作簡(jiǎn)單。
5．它可以對(duì)線性IC的11項(xiàng)交直流參數(shù)進(jìn)行測(cè)試及功能測(cè)試。
6．提供自適應(yīng)測(cè)試方式：以樣片為基準(zhǔn)，對(duì)同型號(hào)IC 進(jìn)行篩選測(cè)試進(jìn)行快速篩選。

GT2200A基本使用方法:

先取一個(gè)“有代表”性(滿足使用要求)的芯片進(jìn)行“學(xué)習(xí)”，即將該芯片的各種應(yīng)測(cè)數(shù)據(jù)保存起來(lái)。再對(duì)其他芯片進(jìn)行有選擇性的“比較”測(cè)試，即對(duì)您所關(guān)心的數(shù)據(jù)進(jìn)行自動(dòng)測(cè)量，并與“學(xué)習(xí)”數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，顯示出優(yōu)劣結(jié)果。操作十分簡(jiǎn)單，容易掌握；尤其是大批量篩選更為簡(jiǎn)單，優(yōu)于樣板的就通過(guò)，不必一一讀取測(cè)量結(jié)果，并逐一查看其是否符合要求。若想看測(cè)量結(jié)果，也可用按鍵逐一翻看。
應(yīng)該說(shuō)它即可滿足生產(chǎn)篩選的需要，也可滿足科研開發(fā)使用。

GT2200A 測(cè)試參數(shù)：

測(cè)試內(nèi)容說(shuō)明：

· 靜態(tài)工耗 是在測(cè)試電壓為± 8V下測(cè)得（個(gè)別特殊比較器在+12V/-6V下測(cè)得）。
·對(duì)于自適應(yīng)測(cè)試，比較誤差小于5%
· 失調(diào)電壓 測(cè)量范圍：100uV─100mV，
Vos 超過(guò) 100mV 時(shí)， 認(rèn)為功能失效；
|Vos| 在2mV─100mV之間，相對(duì)誤差<3%；
|Vos| 在0.1─2mV之間，相對(duì)誤差<6%失調(diào)電流。
· 偏置電流 測(cè)量范圍： Ios，Ib >10nA時(shí) 相對(duì)誤差<3%；
Ios，Ib<10nA相對(duì)誤差<8%；
Ios；Ib<0.5nA，相對(duì)誤差較大。
· 靜態(tài)功耗 測(cè)量范圍：0.3─180mW、Pd>10mW，相對(duì)誤差 <3%
· 輸出電阻 測(cè)量范圍：25─2.5k，分辨率為5Ω
· 輸入電阻 測(cè)量范圍：20KΩ─15MΩ，分辨率KΩ
·輸入電阻高于15M的芯片不測(cè)此項(xiàng)參數(shù)，若“錯(cuò)敲”鍵入型號(hào)，如測(cè)LF347而鍵入“342”（LM324），
所測(cè)的輸入電阻是不真實(shí)的。
· 壓擺率 為擴(kuò)充測(cè)試項(xiàng)。

額定工作條件及規(guī)格：

整 機(jī) 功 耗： 35W
電 源： 220V/AC 50HZ
使用環(huán)境溫度：5─35
相 對(duì) 濕 度： 45%RH
重 量： 5.5kg
外界電磁干擾： 避免