公司產(chǎn)品：
光開(kāi)關(guān)：機(jī)械光開(kāi)關(guān)（單模保偏可選），MEMS光開(kāi)關(guān) ；ns光開(kāi)關(guān)（80ns-120ns）都可以做多通道陣列
光衰減器：機(jī)械式光衰減器，mems光衰減器（mini型 外徑3.5mm），臺(tái)式衰減器，軍級(jí)別，電信級(jí)別。單模保偏可選
光纖延遲線：手動(dòng)光延遲線，電動(dòng)光延遲線，超高速飛秒光延遲線，高精度亞飛秒光延遲線，光波導(dǎo)延遲線，光波導(dǎo)色散
產(chǎn)品描述：
四川梓冠的單片集成光延時(shí)組件，是基于厚膜SOI硅光子技術(shù)、將硅基光開(kāi)關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)回路單片集成的創(chuàng)新型產(chǎn)品，它集高速切換、偏振無(wú)關(guān)、高精度、高集成度、低損耗等優(yōu)勢(shì)于一體。
其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到1µs以下，延時(shí)精度比傳統(tǒng)光纖延時(shí)線提升1個(gè)量級(jí)，厚膜SOI硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問(wèn)題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的產(chǎn)品。
主要特征：
1µs以下超高速切換、純固態(tài)芯片、高延時(shí)精度、超小尺寸、超寬帶工作、超高可靠性。
典型應(yīng)用：
適用于中小延時(shí)量的光時(shí)延應(yīng)用，主要針對(duì)高頻段/小型陣/機(jī)載艦載等場(chǎng)合的光控相控陣雷達(dá)系統(tǒng)、電子對(duì)抗系統(tǒng)。
主要指標(biāo)：
性能指標(biāo) | 單位 | 單片集成多bit可調(diào)光延時(shí)器 | 備注 |
延時(shí)位數(shù) | / | 1~10 | 根據(jù)需求確定 |
延時(shí)步進(jìn) | ps | / | 無(wú)下限 |
延時(shí) | ns | ≤5 | |
延時(shí)偏差 | / | ≤0.5‰ | 延時(shí)偏差與延時(shí)量正相關(guān) |
延時(shí)切換時(shí)間 | µs | ≤1 | 不包含驅(qū)動(dòng)電路信號(hào)延時(shí) |
片內(nèi)單位延時(shí)損耗 | dB/bit | 2 | 近似值，與延時(shí)量有關(guān) |
