產(chǎn)品介紹:真空烤盤(pán)爐是與MOCVD設(shè)備配套使用的爐體,爐內(nèi)抽真空,被處理工件放置在爐膛內(nèi),采用清洗氣體加熱反應(yīng)方式進(jìn)行干式清洗(清洗氣體:N2,H2)。主要用于有效清除MOCVD承受器(SiC涂層石墨盤(pán)或石英盤(pán))上的氮化鎵和氮化鋁等,可達(dá)到有效清潔處理,提高制品質(zhì)量的目的。
技術(shù)參數(shù):
使用溫度 1450℃ 溫度 1500℃ 絕熱材料 石墨纖維毯、石墨紙 馬弗材料 SUS304 加熱元件 石墨加熱棒 冷卻方式 氣冷+循環(huán)風(fēng)冷降溫 控溫穩(wěn)定度 ±2℃,具有PID參數(shù)自整定功能 爐膛溫度均勻度 ±5℃(恒溫1550℃) 控溫?zé)崤?/span> Wre5 升溫速率 15℃/min(空載) 控溫點(diǎn)數(shù) 1點(diǎn) 降溫速率 1450℃至80℃,240分鐘 監(jiān)測(cè)點(diǎn)數(shù) 1點(diǎn) 極限真空 10-3torr級(jí) 氣氛 可向爐膛內(nèi)通入干燥、潔凈、無(wú)油的高純度氮?dú)?,純度≧99.999% 抽氣速率 空載下,30min達(dá)到10-2torr 報(bào)警保護(hù) 超溫、斷偶、停氣等聲光報(bào)警保護(hù) 設(shè)備顏色 電腦駝灰色 電源 容量大于160KVA,3相5線,220/380VAC,50Hz 參考型號(hào) MOLKP-518(W710×H710×D1000mm) MOLKP-1000(W1000×H1000×D1000mm) MOLKP-1200(W1000×H1000×D1200mm)
*技術(shù)細(xì)節(jié)變動(dòng)之處,恕不另行通知,具體設(shè)備參數(shù)以咨詢結(jié)果為準(zhǔn)。 真萍科技作為專(zhuān)業(yè)的熱處理設(shè)備制造廠商,可根據(jù)客戶工藝需求定制您需要的滿意產(chǎn)品,有需求的客戶。