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下面介紹一下
低壓軟起動(dòng)器可控硅的主要技術(shù)參數(shù)
可控硅的主要技術(shù)參數(shù)
1．正向阻斷峰值電壓(VPFU)
是指在控制極開路及正向阻斷條件下，可以重復(fù)加在器件上的正向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為正向轉(zhuǎn)折電壓值的80％。
2．反向阻斷峰值電壓(VPRU)
它是指在控制極斷路和額定結(jié)溫度下，可以重復(fù)加在器件上的反向電壓的峰值。此電壓規(guī)定為高反向測試電壓值的80％。
3．額定正向平均電流(IF)
在環(huán)境溫度為+40C時(shí)，器件導(dǎo)通(標(biāo)準(zhǔn)散熱條件)可連續(xù)通過工頻(即指供電網(wǎng)供給的
電源
頻率．一般為50Hz或60Hz，我國規(guī)定為50Hz)正弦半波電流的平均值。
西門子828D維修開機(jī)報(bào)警207841
