原理
導波雷達發(fā)出的高頻微波脈沖沿著探測組件(鋼纜或鋼棒)傳播,遇到被測介質,由于介電常數突變,引起反射,一部分脈沖能量被反射回來。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時間間隔與被測介質的距離成正比。
容器中存在兩種不同介質,當上面一層的介質介電常數較小,而下面的介質介電常數較大時,高頻微脈沖沿著探測組件傳播遇到上層介質時,由于其介電常數較小,因而有極少的能量被這一層介面反射,而大部分能量穿透上層介質繼續(xù)向下傳播,遇到兩層的介面時,由于下層介質的介電常數較大,因而會有較大的能量被反射回來。因而導波雷達是可以測量兩種不同介質的介面,其測量條件是上層介質不導電或其介電常數比下層介質介電常數小10以上。
特點
由于采用了*的微處理器和*的EchoDiscovery回波處理技術,導波雷達物位計可以應用于各種復雜工況。
多種過程連接方式及探測組件的型式,使得GJMD5系列導波雷達物位計適于各種復雜工況及應用場合。如:高溫、高壓及小介電常數介質等。
采用脈沖工作方式,導波雷達物位計發(fā)射功率極低,可安裝于各種金屬、非金屬容器內,對人體及環(huán)境均無傷害。
型號 | GJMD50 | GJMD51 | GJMD52 | GJMD53 |
應用場合 | 帶揮發(fā)性物質或蒸汽的環(huán)境下的液體測量 | 能適應小量程,多蒸汽,小介電常數介質的測量 | 液體測量,高溫高壓工況 | 小介電常數液體及固體測量 |
測量范圍 | 30m | 6m | 30m | 30m |
測量精度 | ±10mm | ±10mm | ±10mm | ±10mm |
過程溫度 | (-40~200)℃ | (-40~200)℃ | (-40~400)℃ | (-40~200)℃ |
過程壓力 | (-0.1~4 ) MPa | (-0.1~4 ) MPa | (-0.1~4 ) MPa | (-0.1~4 ) MPa |
頻率范圍 | 100MHZ-1.8GHZ | 100MHZ-1.8GHZ | 100MHZ-1.8GHZ | 100MHZ-1.8GHZ |
信號輸出 | ( 4~20 ) mA / HART | ( 4~20 ) mA / HART | ( 4~20 ) mA / HART | ( 4~20 ) mA / HART |
供電方式 | 兩線制(DC24V) 四線制(DC24V / AC220V ) | |||
現場顯示 | 可選 | 可選 | 可選 | 可選 |
殼體 | 鑄鋁、不銹鋼 | 鑄鋁、不銹鋼 | 鑄鋁、不銹鋼 | 鑄鋁、不銹鋼 |
鋼纜/棒直徑 | Φ4mm、Φ6mm、Φ10mm | |||
探測組件材料 | 不銹鋼、PTFE 、陶瓷 | |||
過程連接 | 螺紋G1?A、G2A、1?NPT | |||
防爆等級 | 標準型(非防爆)、本安型(Exia IIC T6)、本安型+隔爆型(Exd [ia]ia IIC T6) | |||
其他選配 |