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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

上海尖豐光電技術(shù)有限公司是專業(yè)從事光電領(lǐng)域內(nèi)儀器設(shè)備代理與系統(tǒng)集成業(yè)務(wù)的綜合性服務(wù)商，主要代理國(guó)內(nèi)外品牌激光、光纖通信，光電子，光學(xué)儀器等光電產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、引進(jìn)、研發(fā)，技術(shù)咨詢及銷售。目前我們代理的國(guó)內(nèi)外光電儀器，均為各自領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品。

我們的客戶覆蓋各高校、*所屬各研究所、*各研究所、航空工業(yè)總公司各研究所、光電產(chǎn)業(yè)等不同領(lǐng)域。我們可以為用戶提供國(guó)外原廠生產(chǎn)的各類標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。我們也愿意根據(jù)用戶的具體要求，提供專業(yè)級(jí)光電實(shí)驗(yàn)室解決方案的設(shè)計(jì)。
團(tuán)隊(duì)核心人員具有在行業(yè)內(nèi)10年以上的激光光電子領(lǐng)域工作經(jīng)驗(yàn)，保持對(duì)各應(yīng)用領(lǐng)域較早研究動(dòng)向的了解，從而能夠結(jié)合我們的經(jīng)驗(yàn)和儀器設(shè)備的技術(shù)特點(diǎn)，按照廣大用戶的不同應(yīng)用要求，提供準(zhǔn)確、*的各種儀器或系統(tǒng)解決方案。
我們核心競(jìng)爭(zhēng)力在于：

專業(yè)服務(wù)：扎實(shí)的理論基礎(chǔ)、豐富科研實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)和良好的服務(wù)品質(zhì)，我們和眾多高校、科研院所和公司有著良好的合作關(guān)系。我們不僅為您提供高質(zhì)量的產(chǎn)品和優(yōu)質(zhì)的專業(yè)服務(wù)，更提供令您滿意的解決方案。
交貨及時(shí)：高效快捷的進(jìn)口以及代理流程，以豐富經(jīng)驗(yàn)力爭(zhēng)讓用戶在Z短的時(shí)間內(nèi)收到訂購的儀器
敬業(yè)精神：我們通過與客戶的充分溝通，盡可能滿足客戶的需求;我們不會(huì)因?yàn)橛唵未笮《鴧^(qū)別對(duì)待客戶; 此外公司還為各院校及研究所提供散單、零采業(yè)務(wù)。我們歡迎客戶委托我們向國(guó)外廠商進(jìn)口儀器，從而把客戶從繁瑣的進(jìn)口手續(xù)中解放出來。
性價(jià)比高：我們會(huì)以*惠的價(jià)格為您提供符合您要求的產(chǎn)品

我們的宗旨是：客戶的支持和鼓勵(lì)是我們不斷成長(zhǎng)壯大的源泉！

我們的合作伙伴：

美國(guó)Qioptiq, Electrophysics, Optiphase, Optometrics, SP(spectral products), TTI, Bati, Covega , Eospace, Fiber guide, General Products, GPD, Modu laser, OFR, REO, Roithner laser,
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英國(guó)Point-source, Oxford, Phoenix Photonics ,Covesion, Leysop
俄羅斯Electrooptic, Superlum, Tydex, Avesta, Cradley
加拿大MPB , OZ, O-E land, IVG fiber
法國(guó)Keopsys 日本Fiberlabs, NEL
中國(guó)臺(tái)灣HCP, 新加坡Denselight, 波蘭Vigo, 荷蘭OKO等多個(gè)廠商

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

關(guān)于德國(guó)Moltech公司：

THz晶體,太赫茲晶體-激光器件產(chǎn)品詳情

THz晶體MolTech(THz crystals)

品牌: 德國(guó)MolTech

關(guān)于德國(guó)Moltech公司：

德國(guó)Moltech公司位于柏林，專注于激光材料，激光介質(zhì)，激光晶體，太赫茲晶體，法拉第隔離器的研發(fā)制作。Moltech公司的THz晶體廣泛為中國(guó)的客戶使用和好評(píng)。

一、ZnGeP2晶體

特點(diǎn)和應(yīng)用
ZnGeP2(磷鎵銀)單晶有著大的光學(xué)非線性系數(shù)和*的激光損傷閾值，是用于中紅外和太赫茲波段非常高效的非線性光學(xué)材料。ZGP晶體具有正雙折射效應(yīng)，因此它可以用于0.75-12μm波長(zhǎng)范圍的相位匹配頻率轉(zhuǎn)換。可以將1.06mm光與CO2激光混合，實(shí)現(xiàn)到近紅外波段的上轉(zhuǎn)換。

THz晶體

透過范圍(μm)	0.75 – 12.0
點(diǎn)群	42m
密度(g/cm3)	4.12
摩氏硬度	5.5
反射系數(shù)
2.00 μm	no = 3.1490; ne = 3.1889
4.00 μm	no = 3.1223; ne = 3.1608
6.00 μm	no = 3.1101; ne = 3.1480
8.00 μm	no = 3.0961; ne = 3.1350
10.00 μm	no = 3.0788; ne = 3.1183
12.00 μm	no = 3.0552; ne = 3.0949
非線性系數(shù)(pm/V)	d36 = 68.9(10.6μm處),d36 = 75.0(9.6μm處)
損傷閾值(MW/cm2)	60 (10.6μm,150ns)
損傷閾值(MW/cm2)	60 (10.6μm,150ns)

二、GaSe晶體

THz晶體

特點(diǎn)和應(yīng)用：

GaSe（硒化鎵）具有非線性系數(shù)大，損傷閾值高和透過范圍寬三重優(yōu)勢(shì)，是一種非常適合作中紅外光二次諧波的非線性光學(xué)單晶。

GaSe可以用于CO2激光器的倍頻，上轉(zhuǎn)換CO和CO2激光射線到可見范圍。

GaSe還可以用于太赫茲射線的產(chǎn)生

典型參數(shù)：

透過范圍(μm)	0.62 – 20
點(diǎn)群	6m2
密度(g/cm3)	5.03
晶格參數(shù)	a = 3.74, c = 15.89 ?
摩氏硬度	2
反射系數(shù)
5.3 μm 處	no= 2.7233, ne= 2.3966
10.6 μm 處	no= 2.6975, ne= 2.3745
非線性系數(shù)(pm/V)	d22 = 54
離散角	4.1°(5.3 μm)
損傷閾值(MW/cm2)	28 (9.3 μm, 150 ns); 0.5 (10.6 μm, in CW mode); 30 (1.064 μm, 10 ns)

三、AgGaS2 ( AGS)晶體

AGS (硫鎵銀) 對(duì)于紅外射線來講,是一種非常高效的倍頻晶體,尤其是10.6μm的CO2激光器, 雖然其非線性系數(shù)很低,但是它在550nm附近非常高的短波透過率在YAG泵浦的OPO有廣泛應(yīng)用,還可應(yīng)用于中紅外波段的混頻系統(tǒng)波長(zhǎng)范圍從4.0到18.3 μm, 通過差頻實(shí)現(xiàn)紅外波段光輸出。

透過范圍(μm)	0.47 - 13
點(diǎn)群	4m2
密度(g/cm3)	5.03
晶格參數(shù)	a = 5.757, c = 10.311 ?
摩氏硬度	3.0 - 3.5
反射系數(shù)
5.3 μm	no = 2.4521; ne = 2.3990
3.0 μm	no = 2.4080; ne = 2.3545
5.3 μm	no = 2.3945; ne = 2.3408
10.6 μm	no = 2.3472; ne = 2.2934
12 μm	no = 2.3266; ne = 2.2716
10.6 μm 處	no= 2.6975, ne= 2.3745
非線性系數(shù)(pm/V)	d36 = 12.5
離散角	0.76° at 5.3 μm

四、KTiOPO4(KTP)晶體

KTP（磷酸鈦氧鉀）是一種優(yōu)質(zhì)的非線性晶體，它光學(xué)質(zhì)量高，透過范圍寬，二次諧波轉(zhuǎn)換效率是KDP的三倍以上，損傷閾值高，離散角小。KTP是倍頻Nd：YAG激光器及其它摻釹激光器合適也是應(yīng)用泛的晶體。

應(yīng)用：

l 1.064μm光的二倍頻發(fā)生器

l 近紅外波段的光參振蕩器

l 近紅外波段的差頻發(fā)生器

五、THz晶體-GaAs/GaP/InP/InSb/InP: Fe/InP:Zn/GaAs:Te/GaAs:Zn

產(chǎn)品介紹：其中GaP(磷化鎵)有一個(gè)能發(fā)出可見光的能代間隙,只不過它是間接能帶半導(dǎo)體。當(dāng)它同GaAs結(jié)合形成GaAs1-xPx合金時(shí),就便成了既直接又具有發(fā)光能帶間隙的物質(zhì)了。GaP還可用于制作發(fā)光二極管，它能夠發(fā)出綠光。

InP(磷化銦)主要應(yīng)用于光纖通訊設(shè)備,尤其是半絕緣的InP晶片很可能成為光電二極管的主流產(chǎn)品,應(yīng)用于高速通訊設(shè)備，其傳輸速度能達(dá)到40Gbps。InP還有望用于對(duì)傳輸速度要求更高的下一中。

參數(shù)：

材料	InP	InSb	InP: Fe	InP:Zn	GaP	GaAs:Te	GaAs:Zn	GaAs 多晶
阻抗, om.cm	0.03 - 0.2	-	1x10⁶- 2x10⁷	-	-	-	-	-
直徑	-	-	1,011 - 1,2511	1,011 - 1,2511	-	12,511	1,511	-
軸向	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	(100), (111)	-100	-	-
載流子濃度, cm^-3	(0.8 - 2.0) x 10¹⁵	(8 - 30) x 10¹³	-	(0.2 - 1.0) x 10¹⁸	(4 - 6) x 10¹⁶	2 x 10¹⁷	1.0 x 10¹⁹	2 x 10¹⁵
靈敏度, cm²/V.Sec	3500 - 4000	-	-	50 -70	-	4500	-	5200
生長(zhǎng)技術(shù)	-	可參雜	-	-	可參雜	-	Cz	Bridjman

六、THz晶體-ZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS

介紹：第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均為寬帶半導(dǎo)體。其中ZnTe,ZnS可利用全固態(tài)可調(diào)諧雙波長(zhǎng)光源在非線性晶體中二階光學(xué)混頻方法產(chǎn)生太赫茲光。CdxZn1-xTe(CZT/碲鋅鎘)半導(dǎo)體單晶是發(fā)展遠(yuǎn)紅外,可見光,X-射線探測(cè)器,γ射線探測(cè)器的重要材料。CZT射線探測(cè)器具有吸收系數(shù)大，結(jié)構(gòu)緊湊，室溫操作等優(yōu)點(diǎn)。而現(xiàn)在工業(yè)和醫(yī)療方面產(chǎn)用的高純Ge和Si的探測(cè)器，只能工作在液氮溫度下。CZT已經(jīng)成為硬X射線和γ射線的一種關(guān)鍵技術(shù)。天文學(xué)方面用CZT陣列去研究宇宙中的高能γ射線源。

材料

ZnS

CdS

ZnSe

Zn_xCd1_-xS

CdS

CdSe

CdS_xSe_1-x

CdTe

CdZnTe

ZnTe

生成方法

垂直布里奇曼生長(zhǎng)法

PVT

melt

PVT

晶種氣相法

直徑，mm

厚度，mm

光學(xué)吸收at 10,6
nm, cm^-1

< 0.15

< 0.007

<0.0015

<0.005

0.01

5-10
x10-4

< 0.01

阻抗, Ohm x cm

105

5-50x10⁹

> 10⁵

1x10⁶

發(fā)光強(qiáng)度比，IEx/Iedge
(Iimp)

> 10

位錯(cuò)密度, cm^-2

< 2 x10⁵

< 5 x10⁵

2 x10⁵

< 2 x10⁵

< 2 x10⁴

5 x10⁴

1x 10⁴

小角邊界密度, cm^-1

< 40

< 20

< 10

發(fā)光光譜的激發(fā)帶波長(zhǎng), nm

490 ± 2

690 ± 2

444
± 2

475 ± 5

490
± 2

690
± 2

510 ± 5,
535 ± 10,
560 ± 10,
600 ± 5,
615
+5/-15,
505 ± 5,
625 ± 5

七、碲化鋅晶體（ZnTe）

尺寸： 5 x 5 x 0.1 mm-20 x 20 x 10 mm各個(gè)尺寸

晶向：110

表面處理：拋光、鍍膜、非鍍膜

應(yīng)用：THz探測(cè)、THz產(chǎn)生

主要型號(hào)及尺寸列表:

<110>Orientation SIZE
5 x 5 x 0.2 mm	10 x 10 x 0.2 mm		15 x 15 x 1 mm		20 x 20 x 0.5 mm
5 x 5 x 0.5 mm	10 x 10 x 0.5 mm		15 x 15 x 2 mm		20 x 20 x 0.8 mm
5 x 5 x 1mm	10 x 10 x 1 mm		15 x 15 x 3 mm		20 x 20 x 1 mm
5 x 5 x 2 mm	10 x 10 x 1.5 mm		15 x 15 x 4 mm		20 x 20 x 2 mm
5 x 5 x 3 mm	10 x 10 x 2 mm		15 x 15 x 5 mm
5 x 5 x 4 mm	10 x 10 x 3 mm
5 x 5 x 5 mm	10 x 10 x 4 mm
	10 x 10 x 5 mm
CHIPS - Are normally based upon ZnTe <100> Substrate @ 0.5 - 1 mm thickness onto which is optically glued ZnTe <110> top wafer.
<110> Front Face SIZE RANGE
<110> 300 - 500 um		<110> 100 - 200 um		<110> 40 - 90 um		<110> 20 um
5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm
10 x 10 mm		10 x 10 mm		10 x 10 mm		10 x 10 mm
<110> 10 um
5 x 5 mm
10 x 10 mm
Plano – Wedged SIZE RANGE
<110> 20 - 40 um wedge		<110> 20 - 40 um wedge		<110> 20 - 40 um wedge		<110> 20 - 40 um wedge
with 0.5 - 1.0 mm <100> substrate		with 2mm <100> substrate		with 4mm <100> substrate		with 6mm <100> substrate
5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm		5 x 5 mm
10 x 10 mm

注: 還有多種型號(hào)可選,也可以為您量身定做,詳細(xì)的技術(shù)指標(biāo)請(qǐng)向我公司咨詢.

關(guān)鍵詞：隔離器發(fā)生器振蕩器發(fā)光二極管光電二極管

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