硒化鋅晶體
硒化鋅晶體是紅外光學(xué)材料的基板，光電調(diào)制器的基礎(chǔ)材料。
ZnSe晶體屬面心立方結(jié)構(gòu)，其光率體橢球為一個球體，在光學(xué)上表現(xiàn)為各向同性。它具有優(yōu)異的物理與化學(xué)性質(zhì)，可用于制造藍光半導(dǎo)體激光器、光探測器件、非線性光學(xué)器件、波導(dǎo)調(diào)制器等；同時，作為優(yōu)秀的紅外材料，是紅外透鏡、激光窗口、紅外熱像儀和高功率CO2激光器應(yīng)用的材料。這些應(yīng)用帶動了znSe晶體加工技術(shù)的發(fā)展并對其加工提出愈來愈高的要求，作為紅外材料使用，在加工中要保證其表面光潔度和良好的透過率。
ZnSe晶體是一種黃色透明的多晶材料, 透光范圍0.5-15μm，結(jié)晶顆粒大小約為70μm。由化學(xué)氣相沉積(CVD)方法合成的基本不存在雜質(zhì)吸收, 散射損失極低。由于對10.6μm波長光的吸收很小, 因此成為制作高功率CO2激光器系統(tǒng)中光學(xué)器件的材料。 此外在其整個透光波段內(nèi), 也是在不同光學(xué)系統(tǒng)中所普遍使用的材料。
硒化鋅晶體材料對熱沖擊具有很高的承受能力, 使它成為高功率CO2激光器系統(tǒng)中的光學(xué)材料。硬度只是多光譜級ZnS的2/3, 材質(zhì)較軟易產(chǎn)生劃痕, 而且材料折射率較大, 所以需要在其表面鍍制高硬度減反射膜來加以保護并獲得較高的透過率。在其常用光譜范圍內(nèi), 散射很低。在用做高功率激光器件時, 需要嚴格控制材料的體吸收和內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷, 并采用小破壞程度的拋光技術(shù)和光學(xué)質(zhì)量的鍍膜工藝。廣泛應(yīng)用于激光,醫(yī)學(xué)，天文學(xué)和紅外夜視等領(lǐng)域中。
基本參數(shù)：
Structure: | Cubic (zincblende) |
Density | 5.264 g/ cm3 |
Hardness | 105 kg/ mm2 |
Flexural Strength (4pt bending) | 7500 psi |
Young’s Modulus | 10.2 Mpsi |
Poisson Ratio | 0.28 |
Coefficient of thermal expansion | 7.1×10?6/K |
Specific Heat | 0.339 J/gK |
Thermal conductivity | 0.16 W/cmK |
Eg at 295 K | 2.67 eV |
Dielectric Constant | 8.976 |
Max. Transmittance (λ=2.5-15 μm) | ≥70.5 % |
Absorption Coefficient (λ=10.6 μm) | (1-2)×10-3 cm-1 (including 2 surfaces) |
Damage threshold (λ=10.6 μm) | ≥100 kWt/cm2 |
Thermo-Optic Coef. (dn/dT) | 6.1 ( λ=10.6 μm) |
Refractive index (λ=10.6 μm) | 2.4 |
Electrooptical coefficient r41 (λ=10.6 μm) | 2.2×10-12 m/V |
γ-radiation tolerance dose | > 106 J/kg |
ZnSe傳輸曲線
ZnSe rods, wafers, windows and lenses
Diameter/Width | 1-50 mm |
Thickness/length | 0.1-150 mm |
Orientation | (110), (111) |
Surface quality | As-grown, as-cut, 80/50, 60/40, 40/20 per MIL-0-13830 |
ZnSe crystal pieces for vapour deposition
Purity | 99.99%, 99.999% |
Particle size | 0.01- 10 mm |
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