晶圓平坦化設(shè)備-友碩ELT

很好的螢光膜涂佈方案，精準(zhǔn)控制厚度，達(dá)到理想中BIN率

?很具價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)性的CSP製程

?輕易實(shí)現(xiàn)MiniLED 拼接問(wèn)題

?解決MicroLED Mass Transfer 良率問(wèn)題

?LED 偏黃報(bào)廢品重工

?實(shí)踐各種結(jié)構(gòu)的可行性 (阻水結(jié)構(gòu)、Bump結(jié)構(gòu))

?解決料帶靜電吸附的問(wèn)題

　　在半導(dǎo)體制造工藝中，平坦化工藝是*的工藝步驟之一，其能力直接影響晶圓表面的平坦度，進(jìn)而會(huì)影響產(chǎn)品的良率。

　　淺槽隔離(STI)是一種前端工藝，用來(lái)在硅片表面的器件之間形成隔離區(qū)，STI中的填充氧化層是用平坦化技術(shù)磨去比阻擋層高的所有氧化層，從而實(shí)現(xiàn)平坦化。STI平坦化的一個(gè)困難是如何避免溝槽中的氧化物減薄太多，或產(chǎn)生凹陷。凹陷現(xiàn)象會(huì)對(duì)器件造成很多負(fù)面效應(yīng)，如門(mén)電壓降低，漏電增加等等。現(xiàn)有技術(shù)中，為了解決STI平坦化中凹陷的缺陷，在STI平坦化工藝中普遍開(kāi)始使用氧化鈰研磨液，其顆粒尺寸非常均勻，具有比較高的研磨速度、高的選擇比和自動(dòng)停止等特殊的研磨特性。但氧化鈰研磨顆粒的吸附性比較大，容易殘留在硅片表面，不利于后續(xù)對(duì)硅片的清洗，增加了工藝的復(fù)雜度。并且，硅片上殘留的顆粒也會(huì)使硅片的檢測(cè)產(chǎn)生誤差，影響芯片的良率。

　　所以，有必要開(kāi)發(fā)一種既能減少氧化鈰顆粒附著在硅片表面的晶圓的平坦化方法。