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霍爾離子源典型應用 IBE 離子刻蝕 鍍膜機

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  • 型號
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  • 所在地上海市
  • 更新時間2022-10-06
  • 廠商性質代理商
  • 入駐年限1
  • 實名認證已認證
  • 產品數(shù)量200
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產地進口 加工定制 適用領域其他
上海伯東離子源典型應用: 安裝在小型離子蝕刻機中的 KRI 霍爾離子源 EH 400 HC, 對 2英寸硅芯片蝕刻,霍爾離子源典型應用 IBE 離子刻蝕
霍爾離子源典型應用 IBE 離子刻蝕 鍍膜機 產品詳情

離子源應用于離子刻蝕 IBE
上海伯東代理美國考夫曼 KRI 離子源, 其產品霍爾離子源 EH400 HC 成功應用于離子蝕刻 IBE.
霍爾離子源離子抨擊能量強, 蝕刻效率快, 可因應多種基材特性, 霍爾源單次使用*, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易, 因此美國考夫曼霍爾離子源廣泛應用于蝕刻制程及基板前處理制程.

霍爾離子源客戶案例一: 某大學天文學系小尺寸刻蝕設備
系統(tǒng)功能: 對于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多項材料刻蝕工藝.
樣品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蝕設備: 小型刻蝕設備. 選用上海伯東美國考夫曼品牌霍爾離子源 EH400 HC
上海伯東離子源 EH400HC
霍爾離子源 EH400HC 安裝于刻蝕腔體內
上海伯東美國考夫曼離子源
離子源 EH400HC 自動控制單元
上海伯東美國考夫曼離子源控制器
霍爾離子源 EH400HC 通氬氣
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對于 FeSeTe 刻蝕應用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >20 A/Sec
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對于 FeSeTe 刻蝕應用, 霍爾離子源 EH400HC 條件: 110V/1.5A, 刻蝕速率 >17 Å/Sec
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鑒于信息保密. 更詳細的離子源應用歡迎

霍爾離子源 EH400HC 特性:
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若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 歡迎聯(lián)絡上海伯東葉小姐,分機109

 

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