工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀
產(chǎn)品簡介
1、工頻介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、絕緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標準電容器，并將副橋和檢流計與高壓電橋有機的結(jié)合在一起，特別適應(yīng)測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。
2、橋體本身帶有5kV/100pF標準電容，測量材料介損更為方便。
3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
4、橋體采用了多樣化的介損測量
參數(shù)規(guī)格
1、測量范圍及誤差
在Cn＝100pF R4＝3183.2(Ω)(即10K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0～1 ±1.5％tgδx±1×10-4
在Cn＝100pF R4＝318.3(Ω)(即1K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgδ 0～0.1 ±1.5％tgδx±1×10-4
Cx＝R4×Cn/R3
tgδ＝ω?Ｒ４?Ｃ４
高壓電源技術(shù)特性
電壓輸出：0～2500V/50Hz
高壓電流輸出：0～20mA
內(nèi)置標準電容器
電容量的名義值為100pF
tgδ小于5×10-5
固體絕緣材料測試電極
本電極適用于固體電工絕緣材料如絕緣漆、樹脂和膠、浸漬纖制品、層壓制品、云母及其制品、塑料、電纜料、薄膜復(fù)合制品、陶瓷和 玻璃等的相對介電系數(shù)（ε）與介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）的測試。本電極主要用于頻率在工頻50Hz下測量試品的相對介電系數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗角正切值（tgδ）。本電極的設(shè)計主要是參照國標GB1409-2006。
本電極采用的是三電極式結(jié)構(gòu)，能有效的消除表面漏電流的影響，使測量電極下的電場趨于均勻電場。
主要技術(shù)指標
儀器規(guī)格：47.5cm*35.5cm*41cm
高低壓電極之間距離：0～14mm可調(diào)
測量極直徑：￠38±0.1mm
高壓電極直徑：￠56±0.1mm
測量極與保護環(huán)間隙為1±0.05
空極tgδ：≤5×10-5
測試電壓：2kV
實驗頻率：50/60Hz
常溫或耐受溫度200℃(數(shù)字百分表不能加溫）
帶數(shù)字百分表測量范圍為0~12mm
制作技術(shù)指標依據(jù)GB/T1303.2---2009
注：原材料為不銹鋼與聚四氟乙烯，接口為與電橋配套用插座（帶插頭）。
產(chǎn)品優(yōu)勢
1、主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。主要可以測量電容器、互感器、變壓器、絕緣紙、電容器薄膜等各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量( Cx)，其測量線路采用“正接法”即測量對地絕緣的試品。由于電橋內(nèi)附有一個2500KV的高壓電源及一臺高壓標準電容器，并將副橋和檢流計與高壓電橋有機的結(jié)合在一起，特別適應(yīng)測量各類絕緣油和絕緣材料的介損(tgδ)及介電常數(shù)(ε)。
2、橋體本身帶有5kV/100pF標準電容，測量材料介損更為方便。
3、橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指另儀，外圍接線及少。
4、橋體采用了多樣化的介損測量
影響介電性能的因素
下面分別討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。
1）頻率
因為只有少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的ε和taδ幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生，重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。
2）溫度
損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個至大值，這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負的，這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)至大值位置。
3）濕度
極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進行控制是*的。
注：濕度的顯著影響常常發(fā)生在1MHZ以下及微波頻率范圍內(nèi)。
4）電場強度
存在界面極化時，自由離子的數(shù)目隨電場強度增大而增加，其損耗指數(shù)至大值的大小和位置也隨此而變。
在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強度無關(guān)。
