碳化硅紅外光源
裝置包括光源室、直流穩(wěn)壓穩(wěn)流電源和一個(gè)冷卻用水箱三個(gè)組成。又分為成像室和碳化硅棒及其冷卻室。成像室采用反射成像光路,反射鏡鍍金,以增加紅外反射率。冷卻室采用循環(huán)水冷卻方式和風(fēng)冷兩種冷卻方式。
碳化硅紅外光源
規(guī)格參數(shù):
型號(hào)/參數(shù) SiC140
功率(W) >140
光譜范圍(μm) 1~25
孔徑比 f/4
光源壽命(h) >400
光路中心高(mm) 128~168(可調(diào))
光源工作溫度(K) 900-1200
紫外氘燈光源(116-400nm)
真空紫外光源,輻照強(qiáng)度超高。由于使用了空氣制冷結(jié)構(gòu)和真空法蘭安裝,該產(chǎn)品現(xiàn)在更易于操作。常作為半導(dǎo)體檢測(cè)、薄膜厚度測(cè)量、靜電去除器、光譜學(xué)、環(huán)境計(jì)量、光學(xué)元件檢測(cè)、材料抗紫外性測(cè)試和激發(fā)光源等。
產(chǎn)品特點(diǎn):
高穩(wěn)定度
波動(dòng)0.05 %p-p (Max.)
漂移 +/- 0.3 %h (Max.)
長(zhǎng)壽命:1000h保修
空氣制冷(無(wú)需制冷水)
外部控制
可更換燈管
光譜曲線:
技術(shù)參數(shù):
型號(hào) | 窗口 | 光譜范圍 | 有效直徑 | 輸出穩(wěn)定度漂移(大值) | 輸出穩(wěn)定度波動(dòng)(峰-峰, 典型值) | 開(kāi)始放電電壓 | 陽(yáng)極電流 | 管壓(典型值) | 壽命 |
VUV6565 | UV glass | 185-400nm | 1mm | ±0.3%/h | 0.005% | 350mA | 300±30mA | 80V | 4000h |
VUV6301 | UV glass | 185-400nm | 0.5mm | ±0.3%/h | 0.005% | 400mA | 2000h | ||
VUV7290 | Synthetic silica | 160-400nm | |||||||
VUV6311 | UV glass | 185-400nm | |||||||
VUV7292 | MgF2 | 115-400nm | 1mm | / | / | 350mA | 2000h |