擴散硅壓力變送器優(yōu)勢
的定義
硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生極微小應(yīng)變時(一般步于400微應(yīng)變)，其內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)的電子能級狀態(tài)會發(fā)生變化，從而導(dǎo)致其電阻率劇烈變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現(xiàn)極大變化，這種物理效應(yīng)稱為壓阻效應(yīng)。利用壓阻效應(yīng)原理，采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特點晶向，制成應(yīng)變電阻，構(gòu)成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈性力學(xué)特性，在同一切硅材料上進行各向異性微加工，就制成了一個集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測于一體的擴散硅傳感器。給傳感器匹配一放大電路及相關(guān)部件，使之輸出一個標(biāo)準(zhǔn)信號，就組成了一臺完整的擴散硅壓力變送器。
擴散硅壓力變送器優(yōu)勢
工作原理
被測介質(zhì)的壓力直接作用于傳感器的膜片上，使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻值發(fā)生變化，和用電子線路檢測這一變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個對應(yīng)于這一壓力的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。
技術(shù)指標(biāo)
精度等級：0.25級基本誤差±0.25%
非線性誤差：0.3級≤±0.3%FS
滯后誤差： ≤±0.3%FS
輸出特性：
①0-10mA輸出，負(fù)載電阻0-1.5KΩ
②4-20mA輸出，負(fù)載電阻0-600Ω
③恒流輸出內(nèi)阻大于10MΩ
④二線制4-20mA輸出：標(biāo)準(zhǔn)供電DC24V
防爆標(biāo)志：（RPT-Ⅲ）：Exia Ⅱ CT4-6
