HOWD德國進口霍沃德HWPC1智能工業(yè)級單晶硅壓力變送器是HOWD表采用世界上*的單晶硅壓力傳感器技術(shù)與封裝工藝，精心研制出的一款*技術(shù)的超高性能壓力變送器。單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠離介質(zhì)接觸面，實現(xiàn)機械隔離和熱隔離；玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線實現(xiàn)了與金屬基體的高強度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力。這些*的單晶硅壓力傳感器封裝技術(shù)確保了HWPC1單晶硅壓力變送器可從容應(yīng)對的化學場合和機械負荷，同時具備*的抗電磁*力，足以應(yīng)對較為苛刻的工業(yè)環(huán)境應(yīng)用，是名副其實的隱形儀表。

主要參數(shù) 應(yīng)用場合

測量介質(zhì)

壓力類型 表壓

量程范圍 1k Pa-a，詳見選型表 40MP

輸出信號 4-20mA、4-20mA+HART及其它

參考精度

±0.075%量程上限，可選±00.5%量程上限，

詳見規(guī)格參數(shù)

電源影響

當供電電壓在10.5/16.5-55VDC內(nèi)變化， 其零點和量程的變化應(yīng)不超過 ±0.005%量程上限/V

安裝位置影響

任意位置安裝 大不超過 ， 400Pa可通過清零功能校正

振動影響

按 / GB T1827./ 3 IEC61298-3測試，<0 1. %量程上限

輸出信號

二線制4-20mA，用戶可選線性輸出或平方根輸出，數(shù)字過程變量疊加于4-20mA信號上，適用于任何符合HART協(xié)議的主機

環(huán)境溫度影響（典型值）

在-2 8 0-0℃范圍內(nèi)總影響量 ±（0.1+0.15TD）%量程上限

絕緣電阻

≥20MΩ@參考條件下，100VDC

性能測試標準及基準條件

測試標準：GB/T28474/IEC60770；基準條件：從零點開始的量程；硅油充液，316L不銹鋼隔離膜片，4-20mA模擬輸出，端基微調(diào)至設(shè)定值

性能指標

總體性能包括并不限于【參考精度】、【環(huán)境溫度影響】、和其它影響的綜合誤差

典型精度：±0. %量程上限 075

年穩(wěn)定性：±0.2%量程上限/5年

參考精度

依據(jù)標準和測試基準條件，包括線性（ ）、遲滯、重復 BFSL性。校準溫度：20℃±5℃

線性輸出精度

TD≤10（注1）±0.075 %量程 上限

10<TD≤20      ±0.0075TD%量程 上限?

標稱量程：6kPa40kPa、250kPa1MPa、3MPa10MPa、40MPa10<TD≤20 ±0.0075TD%

注 ： （ 1 TD Turn down）是指量比，TD=URL/｜URV-LRV｜

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