針對現(xiàn)今工控市場對于運動控制的高性能標(biāo)準(zhǔn)要求，滿足設(shè)備開發(fā)商和系統(tǒng)整合商對于精準(zhǔn)定位控制的渴望，臺達(dá)集團(tuán)秉持著精益求精的態(tài)度，推出ASDA-A2高機(jī)能型伺服驅(qū)動系列產(chǎn)品。（100W-15KW）ASD-A2-0743-M ASD-A2-0743-U ASD-A2-1543-M ASD-A2-1543-U
ASD-A2-1043-M ASD-A2-1043-U ASD-A2-2043-M ASD-A2-2043-U
ASD-A2-3043-M ASD-A2-3043-U ASD-A2-4543-M ASD-A2-4543-U
ASD-A2-5543-M ASD-A2-5543-U ASD-A2-7543-M ASD-A2-1021-M
ASD-A2-7543-U ASD-A2-0121-L ASD-A2-0121-M ASD-A2-0121-U
ASD-A2-0221-L ASD-A2-0221-M ASD-A2-0221-U ASD-A2-0421-L
ASD-A2-0421-M ASD-A2-0421-U ASD-A2-2043-F ASD-A2-2023-F
ASD-A2-0721-L ASD-A2-0721-M ASD-A2-0721-U ASD-A2-1021-L
ASD-A2-1021-U ASD-A2-1521-L ASD-A2-1521-M ASD-A2-1521-U
ASD-A2-2023-L ASD-A2-2023-M ASD-A2-2023-U ASD-A2-3023-L
ASD-A2-3023-M ASD-A2-3023-U ASD-A2-4523-L ASD-A2-4523-M
ASD-A2-4523-U ASD-A2-7523-L ASD-A2-7523-M ASD-A2-7523-U
ASD-A2-5523-L ASD-A2-5523-M ASD-A2-5523-U ASD-A2-1F23-M
ASD-A2-1B23-M ASD-A2-0121-E ASD-A2-0221-E ASD-A2-0421-E
ASD-A2-0721-E ASD-A2-1021-E ASD-A2-1521-E ASD-A2-2023-E
ASD-A2-3023-E ASD-A2-4543-E ASD-A2R-0121-L ASD-A2R-0121-M
ASD-A2R-0221-L ASD-A2R-0221-M ASD-A2R-0421-L ASD-MDEPIO01
ASD-A2R-0421-M ASD-A2R-0721-L ASD-A2R-0721-M ASD-A2R-1021-L
ASD-A2R-1021-M ASD-A2R-1521-L ASD-A2R-1521-M ASD-A2-0121-F
ASD-A2-0221-F ASD-A2-0421-F ASD-A2-0721-F ASD-A2-0743-F

臺達(dá)驅(qū)動器加工工藝：
加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長
（1）加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型而定。雜質(zhì)種類有硼，磷，銻，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。
（3）縮頸生長：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場接觸時的熱應(yīng)力，會使籽晶產(chǎn)生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉?？s頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由于位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產(chǎn)生零位錯的晶體。
（4）放肩生長：長完*之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。
（5）等徑生長：長完*和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。
（6）尾部生長：在長完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開，那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯與滑移線。于是為了避免此問題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升*爐室冷卻一段時間后取出，即完成一次生長周期。