磁控濺射/真空蒸發(fā)復合型鍍膜設備
在同一鍍膜設備里，既利用磁控濺射陰極輝光放電將靶材原子濺出并部分離化沉積在基材上成膜，同時又可利用在真空中以電阻加熱將金屬鍍料熔融并讓其汽化再沉積在基材上成膜。增加了設備的用途和靈活性。該設備應用于手機殼等塑料表面金屬化，應用于不導電膜和電磁屏蔽膜沉積。
詳情介紹：
磁控濺射/真空蒸發(fā)復合型鍍膜設備將磁控濺射技術和真空蒸發(fā)技術結合在同一鍍膜設備里，既利用磁控濺射陰極輝光放電將靶材原子濺出并部分離化沉積在基材上成膜，同時又可利用在真空中以電阻加熱將金屬鍍料熔融并讓其汽化再沉積在基材上成膜。增加了設備的用途和靈活性。該設備應用于手機殼等塑料表面金屬化，應用于不導電膜和電磁屏蔽膜沉積。
磁控濺射/真空蒸發(fā)復合型鍍膜設備配置了等離子體處理裝置，高效磁控濺射陰極和電阻蒸發(fā)裝置等，設備沉積速率快，鍍層附著力好，鍍層細膩致密，表面光潔度高，且均勻性*性良好；該機實現(xiàn)鍍膜工藝全自動化控制，裝載量大，工作可靠，合格率高，生產成本低，綠色環(huán)保。該設備主要廣泛應用于電腦殼、手機殼、家用電器等行業(yè)，可鍍制金屬膜、合金膜、復合膜層、透明（半透明）膜、不導電膜、電磁屏蔽膜等。
技術參數(shù)：
產品型號 | CY-MSE300S-DC | ||
樣品臺 | 樣品臺尺寸 | φ185mm | |
控溫精度 | ±1℃ | ||
轉速 | 1-20rpm可調 | ||
濺射電流 | 2~20mA | ||
濺射電壓 | 1000V | ||
蒸發(fā)源 | 鎢絲籃 | ||
*高溫度 | 1700℃ | ||
精 確控溫 | 可設置30段升降溫程序，控溫精度為+/-1℃ | ||
真空腔體 | 腔體尺寸 | φ300mm × 300mm | |
觀察窗口 | φ100mm | ||
腔體材料 | 不銹鋼 | ||
開啟方式 | 上頂開式 | ||
膜厚監(jiān)測儀 | 監(jiān)測組件 | 電源 | DC 5V（±10%），*大電流400mA |
頻率分辨率 | ±0.03Hz | ||
膜厚分辨率 | 0.0136Å（鋁） | ||
膜厚準確度 | ±0.5%，取決于過程條件，特別是傳感器的位置，材料應力，溫度和密度 | ||
測量速度 | 100ms-1s/次，可設置 | ||
測量范圍 | 500000Å（鋁） | ||
標準傳感器晶體 | 6MHz | ||
計算機接口 | RS-232/485串行接口（波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可設置，數(shù)據(jù)位：8，停止位：1，校驗：無） | ||
模擬輸出 | 8比特分辨率，PWM脈寬調制輸出（集電極開路或內部5V輸出） | ||
工作環(huán)境 | 溫度0-50℃，濕度5%-85%RH，不得有冷凝水珠 | ||
顯示儀 | 輸入電源 | AC 220V±10% | |
輸出電源 | DC 5V 3A | ||
顯示器 | 12×2數(shù)碼管與LED | ||
通訊端口 | RS-485（波特率1200、2400、4800、9600、19200、38400可設置，數(shù)據(jù)位：8位，停止位：1位 ，奇偶校驗：無） | ||
