臺(tái)達(dá)400W高速高精度伺服驅(qū)動(dòng)器-東莞吉?jiǎng)?chuàng)
臺(tái)達(dá)400W高速高精度伺服驅(qū)動(dòng)器特點(diǎn)
1、運(yùn)行穩(wěn)定；
2、可控性好；
3、響應(yīng)快速；
4、靈敏度高；
5、機(jī)械特性和調(diào)節(jié)特性的非線性度指標(biāo)嚴(yán)格（要求分別小于10%～15%和小于15%～25%）等特點(diǎn)；臺(tái)達(dá)伺服電機(jī)|ASD-A2-0421-E|原裝*
臺(tái)達(dá)400W高速高精度伺服驅(qū)動(dòng)器優(yōu)勢
伺服電機(jī)有交流伺服電機(jī)和直流伺服電機(jī)兩種，臺(tái)達(dá)伺服電機(jī)屬于交流伺服電機(jī)，與直流伺服電機(jī)比較，主要優(yōu)勢如下：臺(tái)達(dá)伺服電機(jī)|ASD-A2-0421-E|原裝*
1、無電刷和換向器，因此工作可靠，對維護(hù)和保養(yǎng)要求低；
2、定子繞組散熱比較方便；
3、慣量小，易于提高系統(tǒng)的快速性；
4、適應(yīng)于高速大力矩工作狀態(tài)；
5、同功率下有較小的體積和重量。
臺(tái)達(dá)400W高速高精度伺服驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用案例
隨著世界能源供應(yīng)的日趨緊張，可再生能源光伏產(chǎn)品發(fā)展迅猛，據(jù)行業(yè)統(tǒng)計(jì)2005年全國太陽能電池產(chǎn)能為300MW，到 2007年已發(fā)展到1000MW，到2010年我國太陽能電池/組件產(chǎn)能將達(dá)到5000MW以上，顯示出對單晶和多晶硅有很大的市場需求，比原來的市場預(yù)期提前了10年以上，也預(yù)示出單晶硅爐的市場需求將成倍增長。單晶硅爐是半導(dǎo)體材料直拉法晶體設(shè)備，其硅單晶棒料經(jīng)切割等后續(xù)工藝處理成芯片被制作為二極管.太陽能電池.集成電路等半導(dǎo)體材料的主要器件。近幾年來由于能源危機(jī)及地球環(huán)境改善帶來對新能源，可再生能源的巨大需求，光伏產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)*的增長，半導(dǎo)體硅材料的生產(chǎn)又進(jìn)入新的發(fā)展期，因此大力加速發(fā)展可再生能源.硅光伏產(chǎn)業(yè)及共基礎(chǔ)材料---高純半導(dǎo)體硅（單晶.多芯片）材料已成為當(dāng)務(wù)之急，而硅材料的生長離不開單晶硅爐和多晶硅爐的設(shè)備支持。
二、單晶硅爐的工藝流程簡介、技術(shù)需求及方案的分析
2-1、單晶硅爐的工藝流程簡介
單晶硅爐爐的組成組件可分成四部分
（1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱組件，爐壁
（2）晶棒及坩堝拉升旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉(zhuǎn)組件
（3）氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統(tǒng)及壓力控制閥
（4）控制系統(tǒng)：包括偵測感應(yīng)器及電腦控制系統(tǒng)
加工工藝：
加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長
（1）加料：將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi)，雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型而定。雜質(zhì)種類有硼，磷，銻，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后，長晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。
（3）縮頸生長：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場接觸時(shí)的熱應(yīng)力，會(huì)使籽晶產(chǎn)生位錯(cuò)，這些位錯(cuò)必須利用縮勁生長使之消失掉?？s頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大?。?-6mm）由于位錯(cuò)線與生長軸成一個(gè)交角，只要縮頸夠長，位錯(cuò)便能長出晶體表面，產(chǎn)生零位錯(cuò)的晶體。
（4）放肩生長：長完*之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。
（5）等徑生長：長完*和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。
（6）尾部生長：在長完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開，那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯(cuò)與滑移線。于是為了避免此問題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點(diǎn)而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升*爐室冷卻一段時(shí)間后取出，即完成一次生長周期。
