PR-T5全譜直讀光譜儀采用標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù),應(yīng)用了日本濱松公司**進(jìn)的CMOS信號(hào)采集元件,每塊CMOS都可以單獨(dú)設(shè)值火花個(gè)數(shù),與光譜儀技術(shù)同步,采用真空光室設(shè)計(jì)及全數(shù)字激發(fā)光源。這款CMOS光譜儀,既包含了CCD光譜儀的全譜特性,又具備PMT光譜儀對(duì)非金屬元素的極低檢出限,整機(jī)設(shè)計(jì)合理,操作簡(jiǎn)單易學(xué),具有數(shù)據(jù)精準(zhǔn),*穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。
CCD+CMOS全譜分析技術(shù)PR-T5全譜直讀光譜儀
豐富的譜線信息,分析靈敏線更多,保證分析的準(zhǔn)確度;
基于全譜測(cè)量的數(shù)據(jù),能夠正確區(qū)分背景和譜線,有效提高測(cè)量精度;
智能選擇合適的靈敏線,通過(guò)多譜線結(jié)合技術(shù),實(shí)現(xiàn)低中高含量段的檢測(cè)需求;
基于全譜測(cè)量數(shù)據(jù)的多峰擬合技術(shù),有效消除譜線干擾,實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量。
在分析過(guò)程中實(shí)時(shí)進(jìn)行光譜漂移校正,增強(qiáng)儀器穩(wěn)定性;
減少標(biāo)準(zhǔn)化校正次數(shù),延長(zhǎng)校正周期;
自動(dòng)完成儀器校正,操作更加簡(jiǎn)便。
*的CMOS檢測(cè)技術(shù)優(yōu)于CCD
CMOS相比CCD具有更高的靈敏度和響應(yīng)速度;
CMOS相比CCD具有更好的線性度;
CMOS相比CCD具有*的紫外光敏感度,在深紫外區(qū)如碳、磷、硫、硼、砷、氮等短波元素的檢測(cè)更準(zhǔn)確。