一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
HDYM-III絕緣子鹽密度測(cè)試儀用于電力系統(tǒng)防污閃檢測(cè),是測(cè)量絕緣子表面等值附鹽密度(以下簡(jiǎn)稱“鹽密”)的測(cè)量?jī)x器,同時(shí)還可以測(cè)量溶液的電導(dǎo)率和溫度。整機(jī)以其測(cè)量精度高、測(cè)量范圍大、使用方便等特點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于電力、教學(xué)、科研及其它相關(guān)行業(yè)。
污穢等級(jí)的劃分和污穢等級(jí)分布圖的繪制是防污閃工作的基礎(chǔ),準(zhǔn)確的污穢等級(jí)分布圖是選擇輸、變電設(shè)備電瓷外絕緣爬距的依據(jù)。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴(yán)重程度的定量數(shù)據(jù),是劃分污穢等級(jí)和繪制污區(qū)圖的重要依據(jù)之一。因此,鹽密測(cè)量工作對(duì)電力系統(tǒng)安全運(yùn)行有著重要的意義。
參照標(biāo)準(zhǔn):
GB/T16434 – 1996《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污穢分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分:定義、信息和一般原則》
Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
相關(guān)術(shù)語:
1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子(根據(jù)GB/T 7253),通常7~9片組成一串用來測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。
2、爬電距離 creepage distance
在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間,沿絕緣體表面的距離。
注:水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層,則該部分應(yīng)認(rèn) 為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance(USCD)
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的運(yùn)行電壓(對(duì)于交流系統(tǒng),為相電壓)之比,mm/kV。
4、附鹽密度 salt deposit density(SDD)
人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)NACL總量除以表面積,mg/cm²。
5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density(ESDD)
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,mg/cm²。
6、不溶物密度(簡(jiǎn)稱灰密) non soluble deposit density(NSDD)
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積,mg/cm²。
7、現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度 site equivalent salinity(SES)
根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn),在相同絕緣子和相同電壓下,產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8、現(xiàn)場(chǎng)污穢度 site pollution severity(SPS)
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的值。
9、現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) site pollution severity class
將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。
10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD(SES)值與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD(SES)值之比,K1一般為1.1~1.5。
二、功能特點(diǎn)
(1)具有量程自動(dòng)切換功能,測(cè)量速度快(3s/次)。
(2)測(cè)量范圍大,鹽密范圍0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2。
(3)中英文界面可自主切換。
(4)采用480*272(5英寸)彩色觸摸液晶屏幕。
(5)可直接顯示并打印鹽密度、電導(dǎo)率、溫度、污穢等級(jí)、統(tǒng)一爬電比距。
(6)自動(dòng)進(jìn)行溫度補(bǔ)償,直接顯示20℃時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電導(dǎo)率和等值附鹽(ESDD)。
(7)具有自動(dòng)祛除原溶液含鹽量的功能,降低了對(duì)清洗液的要求。
(8)自動(dòng)將不帶電測(cè)量的鹽密度(ESDD)轉(zhuǎn)換為帶電測(cè)量的鹽密度(ESDD)。
(9)可存儲(chǔ)10萬組記錄,并可將記錄導(dǎo)出至U盤或通過打印機(jī)打印。
(10)可查閱、刪除、導(dǎo)出單條記錄,也可刪除所有記錄。
(11)內(nèi)置大容量充電鋰電池(2600mAh),適合野外現(xiàn)場(chǎng)使用。
三、產(chǎn)品參數(shù)
3.1 測(cè)量范圍:
鹽密:0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2(按X-4.5型絕緣子為準(zhǔn))
測(cè)量溫度:0℃~100℃
測(cè)量電導(dǎo)率:0~200000μs/cm
3.2 基本誤差:
測(cè)量鹽密:分辨率0.0001 mg/cm2
滿量程精度:±2%
測(cè)量溫度:分辨率0.1℃,精度±0.5℃
測(cè)量電導(dǎo)率:分辨率0.01μs/cm
3.3 環(huán)境溫度:0℃~60℃。
3.4 環(huán)境濕度: <90%。
3.5 體積與重量
整機(jī)機(jī)箱尺寸:長(zhǎng)356mm*寬260mm*高133mm。
整機(jī)重量:約2.5Kg。
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,在傳感器的檢測(cè)面上涂抹適量的超聲耦合劑后,檢測(cè)時(shí)傳感器可與殼體接觸良好,無氣泡或空隙,從而減少信號(hào)損失,提高靈敏度。
4)檢測(cè)時(shí)宜使用傳感器固定裝置,避免操作者的人為因素的影響。
5)選擇合適的檢測(cè)時(shí)間,注意外部干擾源?,F(xiàn)場(chǎng)干擾將降低局部放電檢測(cè)的靈敏度,甚至導(dǎo)致誤報(bào)警和診斷錯(cuò)誤。因此,局部放電檢測(cè)裝置應(yīng)能將干擾抑制到可以接受的水平。
6)提高檢出概率,建議使用信號(hào)時(shí)間分辨率與電源周波頻率相當(dāng)?shù)某暡ㄐ盘?hào)的時(shí)域波形的檢測(cè)設(shè)備,并記錄連續(xù)多工頻內(nèi)的時(shí)域波形。
7)檢測(cè)時(shí),應(yīng)做好檢測(cè)數(shù)據(jù)和環(huán)境情況的記錄或存儲(chǔ),如數(shù)據(jù)、波形、工況、測(cè)點(diǎn)位置等。
8)每年檢測(cè)部位應(yīng)為同一點(diǎn),除非有異常信號(hào),定位出大點(diǎn)后,改為大點(diǎn)的部位檢測(cè)。
9)檢測(cè)者宜熟悉待測(cè)設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
3 GIS設(shè)備超聲波局部放電帶電檢測(cè)的技術(shù)要點(diǎn)
GIS內(nèi)部發(fā)生局部放電時(shí),伴隨有超聲波信號(hào)的產(chǎn)生。通過在GIS外部安裝超聲波傳感器,接收GIS內(nèi)部放電產(chǎn)生的超聲波信號(hào),間接判斷GIS是否有放電現(xiàn)象。該方法的檢測(cè)頻率一般在100 kHz范圍內(nèi),對(duì)于SF6氣體中的顆粒跳動(dòng)、*放電、懸浮電位、異物和連接不良比較靈敏,但對(duì)于絕緣件內(nèi)部空隙、裂縫等缺陷靈敏度較低。對(duì)GIS進(jìn)行超聲波檢測(cè)流程如 GIS超聲波局部放電檢測(cè)流程
1)傳感器的選擇
一般的,對(duì)GIS設(shè)備進(jìn)行超聲波局部放電檢測(cè)選擇傳感器的頻率范圍為20kHz-100kHz,諧振頻率為40kHz。
2)檢測(cè)背景信號(hào)南京市絕緣子鹽密度測(cè)試儀型號(hào)南京市絕緣子鹽密度測(cè)試儀型號(hào)
檢測(cè)前,應(yīng)注意盡量清理現(xiàn)場(chǎng)的干擾聲源。檢測(cè)現(xiàn)場(chǎng)附近的排風(fēng)扇旋轉(zhuǎn)、施工機(jī)械摩擦、物體與GIS殼體摩擦、臨近的帶電導(dǎo)體電暈等都會(huì)帶來干擾。推薦的背景檢測(cè)點(diǎn)是GIS外殼底架,并選擇各相測(cè)點(diǎn)的小值。對(duì)于初步判斷超聲波信號(hào)異常的部位,應(yīng)在該部位附近重新檢測(cè)背景信號(hào)。
3)測(cè)點(diǎn)的選擇
由于超聲波信號(hào)隨距離增加而顯著衰減,故檢測(cè)選點(diǎn)不宜太少,否則很可能漏掉異常點(diǎn)。GIS的超聲波檢測(cè)位置示意圖如圖4-12所示。選擇測(cè)點(diǎn)的基本原則是:
(1)內(nèi)部結(jié)構(gòu)易出問題的部位,如筒體下部,開關(guān)觸頭等;