物理結(jié)構(gòu)
1.1. 過程密
2088數(shù)顯高溫防爆擴(kuò)散硅壓力變送器?設(shè)計保證即使傳感器膜片損壞或故障時，2088數(shù)顯高溫防爆擴(kuò)散硅壓力變送器?仍能安全地工作。電子線路側(cè)（室）有兩級密封與過程隔離，第三級密封實現(xiàn)了與現(xiàn)場接線端子和導(dǎo)線管入口相隔離。過程密封的設(shè)計及其位置使變送器殼體耐壓，并防止過程雜質(zhì)由接線端子側(cè)通過導(dǎo)線管進(jìn)入。
1.2. 雙室結(jié)構(gòu)外殼
2088數(shù)顯高溫防爆擴(kuò)散硅壓力變送器?繼承了TSK51系列的設(shè)計傳統(tǒng)，為雙室外殼設(shè)計。雙室外殼令電子線路與外部環(huán)境相隔離，可防止由于環(huán)境潮濕或?qū)Ь€管冷凝損壞變送器。一般不要求導(dǎo)線管密封。另外，即使在傳感器膜頭*損壞時，雙室結(jié)構(gòu)也可以保證接線端子及導(dǎo)線管與過程相隔離。
1.3. 傳感器膜片
榔頭型恒壓數(shù)顯2088防爆擴(kuò)散硅壓力變送器?將壓力傳給硅壓阻式壓力傳感器，傳感器內(nèi)充有硅油。對于表壓變送器，傳感器的參考壓力為大氣壓；對于絕壓變送器，傳感器的參考壓力是一個密封的真空參考源。
過程壓力加在傳感器的傳感膜片上，令膜片產(chǎn)生一個微小變形，這會給予傳感器內(nèi)的惠斯登電橋施加一個應(yīng)力，使惠斯登電橋產(chǎn)生應(yīng)變電阻變化，電阻變化被測量,并轉(zhuǎn)換為一個4~20mA直流電流變化被輸出。
1.4. 電子線路板模塊
電子線路采用ASIC（集成電路）和表面封裝技術(shù)。電子板接收傳感器膜頭的經(jīng)溫度補(bǔ)償?shù)碾娮枳兓盘柡?，對信號進(jìn)行修正和線性化，輸出一個直流電流信號。
