壓力傳感器采用自主研發(fā)的技術(shù)，使用*的加工技術(shù)在SOI晶圓表面的250nm厚可加工材料層上制作出孤立的“島”狀硅敏感電阻陣列，用絕緣膜電隔離技術(shù)替代了傳統(tǒng)的PN結(jié)電隔離技術(shù)，由于SOI芯片避免了PN隔離問(wèn)題，相比于常規(guī)的擴(kuò)散硅壓力傳感器，具有更好的穩(wěn)定性，可以實(shí)現(xiàn)更高溫度下的壓力測(cè)量。
這是SOI的核心優(yōu)勢(shì)所在。
在封裝結(jié)構(gòu)方面采用小體積充油式耐高溫高壓結(jié)構(gòu)，充以特殊的保護(hù)液，并進(jìn)行高寬溫區(qū)的老化和補(bǔ)償?shù)?，環(huán)境適用性強(qiáng)、可靠性高、穩(wěn)定性好，從而保證了本產(chǎn)品的高性能。
這種結(jié)構(gòu)國(guó)內(nèi)還沒(méi)有其他單位采用，因此具*的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
本產(chǎn)品國(guó)內(nèi)*，*，不存在同類產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題。
國(guó)內(nèi)從事SOI壓力敏感器件研究單位基本沒(méi)有實(shí)用的、可以批量生產(chǎn)的產(chǎn)品。建于我院的“傳感器國(guó)家工程研究中心”，確立了我院在國(guó)內(nèi)的行業(yè)主導(dǎo)地位。目前同類SOI高溫系列在武器和特種環(huán)境工業(yè)過(guò)程控制領(lǐng)域得以廣泛應(yīng)用。產(chǎn)品*。
與國(guó)外同類產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品具有更高的性價(jià)比、靈活的配套形式及我們優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。
硅電容差壓傳感器采用硅電容差壓敏感芯片作為傳感元件，采用微機(jī)械加工技術(shù)自主設(shè)計(jì)制作，層迭對(duì)稱結(jié)構(gòu)，采用差動(dòng)電容原理檢測(cè)壓力信號(hào)，具有全固態(tài)，高精度，高可靠性，高穩(wěn)定性，溫度范圍寬，溫度、靜壓影響小，單向過(guò)載特性優(yōu)異，易于后部數(shù)字化處理等特點(diǎn)。
它采用全不銹鋼殼體，316L隔離膜 片封裝、標(biāo)準(zhǔn)差壓容室接口?？捎糜跍y(cè)量液體、氣體的差壓、流量等參數(shù)，可作為過(guò)程控制領(lǐng)域用差壓變送器的核心部件。廣泛應(yīng)用于石油、化工、電力、冶金、輕工、食品、環(huán)保、鍋爐控制、帶壓容器測(cè)量等。
硅壓阻復(fù)合采用硅集成壓阻芯片作為傳感元件，采用微機(jī)械加工技術(shù)自主設(shè)計(jì)制作，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)現(xiàn)場(chǎng)中的差壓、靜壓、溫度等參數(shù)進(jìn)行測(cè)量，具有精度高、體積小、重量輕、穩(wěn)定性好等特點(diǎn)。采用四膜片靜壓和過(guò)載保護(hù)結(jié)構(gòu)，全不銹鋼殼體，316L隔離膜片封裝及標(biāo)準(zhǔn)差壓容室接口，可用來(lái)測(cè)量差壓、靜壓、流量、液位、溫度等參數(shù)，廣泛應(yīng)用于石油、化工、電力、造紙等工業(yè)領(lǐng)域的測(cè)量與過(guò)程控制。
