一、壓力傳感器工作原理
高溫壓力傳感器的工作原理風(fēng)壓傳感器的壓力直接作用在傳感器的膜片上,使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移,使傳感器的電阻發(fā)生變化,和用電子線路檢測(cè)這一變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)對(duì)應(yīng)于這個(gè)壓力的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)。
二、相關(guān)參數(shù)
量 程: -0.1~0~1~150(MPa) 綜合精度:0.25%FS、0.5%FS
輸出信號(hào): 4~20mA(二線制)、0~5V、1~5V、0~10V(三線制)
供電電壓: 24DCV(9~36DCV)
介質(zhì)溫度: -20~800℃
環(huán)境溫度: 常溫(-20~85℃)
零點(diǎn)溫漂移: ≤±0.05%FS℃
量程溫度漂移: ≤±0.05%FS℃
補(bǔ)償溫度: 0~70℃
安全過載: 150%FS
極限過載: 200%FS
響應(yīng)時(shí)間: 5 mS(上升到90%FS)
負(fù)載電阻: 電流輸出型:zui大800Ω;電壓輸出型:大于5KΩ
絕緣電阻: 大于2000MΩ (100VDC)
密封等級(jí): IP65
*穩(wěn)定性能: 0.1%FS/年
振動(dòng)影響: 在機(jī)械振動(dòng)頻率20Hz~1000Hz內(nèi),輸出變化小于0.1%FS
三、材質(zhì)
是由硅膜片、襯底、下電極和絕緣層構(gòu)成。其中下電極位于厚支撐的襯底上。電極上蒸鍍一層絕緣層。硅膜片則是利用各向異性腐蝕技術(shù),在一片硅片上從正反面腐蝕形成的。上下電極的間隙由硅片的腐蝕深度決定。硅膜片和襯底利用鍵合技術(shù)鍵合在一起,形成具有一定穩(wěn)定性的硅膜片電容。