正電子壽命測量法用于半導(dǎo)體材料中空位型缺陷的測量。這是一種帶有測量裝置和電源的全壽命正電子壽命測量系統(tǒng)。在壽命(時間)測量系統(tǒng)中,時間是用3GS/s采集卡來測量的,進(jìn)來信號是由兩BaF2的閃爍體產(chǎn)生的高速脈沖信號。在符合多普勒展寬的情況下,用兩個鍺半導(dǎo)體探測器符合的波高值制成二維直方圖。此外,這些設(shè)備可以用來測AMOC,這個壽命和動量相關(guān)。
Feature
●功能: Lifetime、CDB和AMOC
●ADC: 時間:2CH 3GSPS 8bit
CDB :2CH 100MSPS 14bit
●時間分辨: FWHM(半高寬) 192ps (511keV@22Na, BaF2 閃爍體) FWHM(半高寬) 160 – 190 ps (Silica)
●能量分辨: 1.23keV(512keV@106Ru) 1.69keV(1.33MeV@60Co)
●PMT高壓 : 2CH, -4000V 對于Ge(鍺)半導(dǎo)體: 2CH, +5000V ※包括前放
●接口: Ethernet (TCP/IP)
●附件包括應(yīng)用指導(dǎo)手冊