納米氧化鎵，微米氧化鎵，超細氧化鎵 氧化鎵，別名三氧化二鎵，氧化鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性*以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
應用領域
用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導體材料制備。
納米氧化鎵，微米氧化鎵，超細氧化鎵，Ga2O3
技術參數
貨號 | 平均粒徑 | 純度（%） | 比表面積（m2/g） | 體積密度（g/cm3） | 密度（g/cm3） | 晶形 | 顏色 |
XT06-27-1 | 10um | 99.99 | 10 | 1.12 | 6.01 | 球形 | 黑色 |
備注：可根據用戶要求,提供其他粒度規(guī)格產品 | |||||||
產品特點
氧化鎵，別名三氧化二鎵，氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性*以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
應用領域
用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導體材料制備。
用作高純分析試劑、半導體材料。
包裝儲存
本品為惰氣防靜電包裝,應密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜*暴露于空氣中,防受潮發(fā)生團聚,影響分散性能和使用效果。( ： ）
