半導(dǎo)體高低溫沖擊測試箱/半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱特別適用于半導(dǎo)體電子器件做溫度破壞測試，主要測試半導(dǎo)體電子器件材料結(jié)構(gòu)在瞬間下經(jīng)溫及溫的連續(xù)沖擊環(huán)境下所能忍受的程度，得以在Z短時(shí)間內(nèi)檢測試樣因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。本試驗(yàn)箱根據(jù)試驗(yàn)需求及測試標(biāo)準(zhǔn)分為三箱式和兩箱式，區(qū)別在于試驗(yàn)方式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同。三箱式分為蓄冷室，蓄熱室和試驗(yàn)室，產(chǎn)品在測試時(shí)是放置在試驗(yàn)室。兩箱式分為高溫室和低溫室，是通過電機(jī)帶動提籃運(yùn)動來實(shí)現(xiàn)高低溫的切換，產(chǎn)品放在提籃里，是隨提籃起移動的。
愛佩半導(dǎo)體高低溫沖擊測試箱/半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱質(zhì)量優(yōu)勢：主要核心配件均采用*的配件如法泰康或德比澤爾壓縮機(jī)，控制器有韓三元、日本OYO、中中國臺灣臺通三*供客戶選擇，繼電器有日本路宮、和泉、三菱、施耐德，美杜邦環(huán)保冷媒，丹麥(DANFOSS)、瑞典（AlfaLaval）等配件，假罰十，能確保冷熱沖擊試驗(yàn)箱長期正常的運(yùn)行。
半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常，這些半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時(shí)也稱為分立器件。大部分二端器件（即晶體二管）的基本結(jié)構(gòu)是個(gè)PN結(jié)。利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。晶體二管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三管）。
半導(dǎo)體高低溫沖擊測試箱/半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱技術(shù)參數(shù)表：
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AP-CJ-80A AP-CJ-80B AP-CJ-80C | AP-CJ-150A AP-CJ-150B AP-CJ-150C | AP-CJ-250A AP-CJ-250B AP-CJ-250C | AP-CJ-1000A AP-CJ-1000B AP-CJ-1000C | ||||
標(biāo)稱內(nèi)容積（升） | 80 | 150 | 250 | 300 | |||
試驗(yàn)方式 | 氣動風(fēng)門切換2溫室或3溫室方式 | ||||||
性能 | 高溫室 | 預(yù)熱溫度范圍 | ＋60～＋200℃ | ||||
升溫速率※1 | ＋60→＋200℃≤30分鐘 | ||||||
低溫室 | 預(yù)冷溫度范圍 | －75－0℃ | |||||
降溫速率※1 | ＋20→－75℃≤30分鐘 | ||||||
試驗(yàn)室 | 溫度偏差 | ±2℃ | |||||
溫度范圍 | TSL:（+60→+150）℃→（-40－-10）℃; TSU:（+60～+150）℃～（-55～-10）℃; TSS:（+60～+150）℃～（-65～-10）℃ | ||||||
溫度恢復(fù)時(shí)間※2 | 5分鐘以內(nèi) | ||||||
試樣擱架承載能力 | 30kg | ||||||
試樣重量 | 7.5kg | 7.5kg | 10kg | 10kg | |||
內(nèi)部尺寸（mm） | W | 500 | 600 | 700 | 1000 | ||
H | 400 | 500 | 600 | 1000 | |||
D | 400 | 500 | 600 | 1000 | |||
※1半導(dǎo)體高低溫沖擊測試箱/半導(dǎo)體電子器件冷熱沖擊試驗(yàn)箱溫度上升和溫度下降均為各恒溫試驗(yàn)箱單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能。 如需了解更多請東莞市愛佩試驗(yàn)設(shè)備有限公司廠家直營：或致電業(yè)務(wù). | |||||||
